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搜索结果: 1-5 共查到半导体技术 发光器件相关记录5条 . 查询时间(0.151 秒)
日前,中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展,上世纪80年代,原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引入45纳米节点及以后的集成电路制造工艺,由于其沉积参数的高度可控性(厚度,成份和结构),优异的沉积均匀性和一致性使得...
该项目经与国内外有关单位合作,已研制出高荧光效率的梯形对次苯基(LPPP)等多种新型蓝色(或蓝绿色)有机薄膜电致发光材料和高质量的氧化二唑类(PDPyDP等)载流子传输层材料,通过在发光材料中引入功能基团和优化器件结构,将能带结构匹配的聚合物或小分子发光层与载流子传输层合理地组合在同一有机薄膜电致发光器件(OLED)中,并采用将器件进行特殊的热处理后改善有机/金属电极界面状态等方法使器件的量子效率...
将8-hydroxy-quinolinato lithium (Liq) 掺入 4’7- diphyenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)作为n型电子传输层 (ETL),将tetrafluro-tetracyano-quinodimethane (F4-TCNQ)掺入4,4′,4" -tris (3-methylphenylphenylamono) triphenylam...
介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MIC poly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳极. 结果显示该器件的最大发光效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED效率提高了57%.这是由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对...

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