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上海光学精密机械研究所激光驱动固体表面等离子体波锁相电子发射研究获进展
激光驱动固体表面 等离子体波锁相 电子发射
2012/10/22
中科院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在9月11日出版的国际学术期刊《物理评论快报》上发表的论文[Phys. Rev. Lett. 109,115002 (2012)]中，首次报道了通过强场超快激光驱动固体表面等离子体波产生可控制的准单能电子束发射及其向靶面法线方向的偏转效应。论文作者首次提出了激光驱动表面等离子体波锁相电子发射的两步模型，揭示了激光驱动固体表面等离子体波发射准单能...
阴极蒸发物电子发射现象的研究
电子发射 钡钨阴极 阴极蒸发物 多晶钨
2011/11/24
为研究钡钨阴极蒸发物的电子发射现象，采用一种新设计的测试装置，对沉积在多晶钨表面上阴极蒸发物的电子发射曲线进行了采集，利用电子发射显微镜和扫描电镜对蒸发物沉积层的电子发射像、表面形貌和成分进行了分析。结果表明，电子发射曲线分3段，即陡升段、快升段和缓升段。分析认为，发射曲线的3段依次对应着多晶钨表面的晶界及划痕发射、晶面发射和3维岛状发射。实践证明，在覆膜阴极表面构造均匀弥散分布的岛状晶体发射点，...
测量热阴极次级电子发射的新方法及其应用
热阴极 次级电子发射测量方法 钪酸盐阴极 内建场模型
2010/4/2
本文利用相关检测技术,并对测试管结构作了改进,很好地抑制了热电子本底及空间电荷效应,构成一种测量热阴极在工作温度下次级电子发射性能的新方法。以浸渍钪酸盐阴极为样品,测得在低的轰击电子能量和电子流情况下次级电子发射系数δ占随温度指数上升;轰击电子能量或轰击电子流较大时,温度对δ没有很大的影响。研究表明高温下钪酸盐阴极存在电子轰击热发射增大效应,对此本文提出“内建场模型”加以解释。
金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系
高能电子 二次电子发射系数 能量幂次
2009/8/21
根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式，推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式；并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系，推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n，采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系，...
纳米金刚石薄膜的二次电子发射特性
高平均功率自由电子激光 纳米金刚石膜 微波等离子体化学气相沉积方法
2009/8/21
简要介绍了微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程，并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置，得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数，取得了二次发射系数为15的满意结果，表明纳米金刚石薄膜作为二次电子发射材料具有很好的应用前景。
多级降压收集极CAD中的二次电子发射模型
微波器件 多级降压收集极 二次电子
2009/5/7
多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率。多级降压收集极中的二次电子发射对其效率有重要影响。该文探讨了真二次电子、弹性反射电子、非弹性反射电子3种二次电子发射模型,对发射率、发射角度以及能量分布情况进行了深入分析,并对考虑二次电子后的收集极模拟计算收敛条件进行了讨论。上述结果在多级降压收集极CAD软件中得到应用,定量分析了其对多级降压收集极效率的影响。
高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系
二次电子 入射能量 金属
2009/2/19
提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系，然后用实验数据证明了该理论的正确性，最后对结果进行了讨论。得到了如下结论：不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时， 它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量，有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。
碳纤维阴极的电子发射机制
碳纤维阴极 电子发射机制 微波脉宽
2009/2/9
建立了金属阴极和碳纤维阴极的电子发射机制模型，发射后的阴极和碳纤维阴极的微观照片证实了模型的正确性。实验结果与分析表明：一种优化的阴极应该具备多种电子发射机制，整个阴极的电子发射更均匀，碳纤维阴极的电子发射不仅具有尖端的场发射，而且伴随着侧向的表面闪络(随纹)。此外和金属阴极相比较，处理后碳纤维阴极具有较慢的等离子体膨胀速度(≤1 cm/μs)并使该实验用微波源具有较宽的微波脉冲输出(≥200 n...
铁电阴极材料压电系数在电子发射过程中的实验规律
压电系数 电子发射 铁电阴极
2009/2/9
作为一种新型功能材料，铁电阴极材料的研究日益受人们重视。对铁电材料进行电子发射试验时，偶然观测到材料压电系数随着电子发射次数的增多，其数值大小渐次先由高降低至零，然后又开始反向增大并逐渐稳定于某一绝对值,该绝对值略小于预极化初始值，而在这变化过程中，材料的电子发射电流密度基本恒定。对此进行重复验证以及系统考察发现，压电系数的这种变化规律，为铁电材料电子发射时所普遍遵循，这为铁电电子发射的机理研究探...
无铅铁电陶瓷电子发射性能
无铅 铁电阴极 电子发射
2009/2/7
铁电阴极材料，作为一种新型的功能材料，以其高的发射电流密度等优点而受到重视。鉴于目前研究的铁电阴极材料多局限于锆钛酸铅等含铅材料，作者采用无铅铁电陶瓷Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3(BNBT)，进行了电子发射实验，获得发射电流密度达20A/cm2。初步实验结果表明，与锆钛酸铅相比，钛酸铋钠发射电流密度略低但性能稳定性较好。作为无铅铁电阴极，BNBT仍然具有良好的研究开发价值。
报道了在20 TW皮秒激光器上完成的p偏振激光与等离子体相互作用过程中产生的快电子的角分布和能谱测量结果。实验得到：当激光功率密度小于1017 W/cm2时，电子发射没有明显定向性，在激光入射面内多峰发射;当激光功率密度大于1017 W/cm2,小于1018 W/cm2时，电子主要沿靶面法线方向发射；当激光功率密度达到相对论强度时，电子主要沿激光传播方向发射；激光功率密度未达到相对...
砷化镓表面自旋极化光电子发射
NEA光电发射 自旋极化电子源 圆偏振光
2009/12/29
本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8μA/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%—60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。