搜索结果: 1-1 共查到“电子科学与技术其他学科 超晶格暗电流抑制探测器”相关记录1条 . 查询时间(0.095 秒)
InGaAs雪崩光电探测器（APD）因具有内部电流增益使其在长距离光通讯和单光子探测等方面受到青睐，其高灵敏度特征也使人们渴望能将其制成阵列器件用于航天遥感等领域，但其高倍增电压带来的均匀性差和不易与读出电路配合等问题限制了在此方面的发展。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员在国家自然科学基金等的支持下通过采用独特设计大幅降低了InGaAs APD的倍增电压，成功...