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中国科学院高能物理研究所专利：一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
中国科学院高能物理研究所 专利 硅衬底 表面 光刻胶
2023/8/9
中国科学院高能物理研究所专利：一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
中国科学院化学研究所专利：在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法
中国科学院微电子研究所专利：钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种芯片表面形貌仿真的方法及装置
中国科学院微电子研究所 专利 芯片表面 形貌仿真
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种芯片表面形貌仿真的方法及装置
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种非破坏性检测表面形貌的方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 非破坏性 检测 表面形貌
2023/6/15
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种非破坏性检测表面形貌的方法
中国科学院理化技术研究所专利：表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
基于导波驱动相变材料超构表面的基波及二次谐波聚焦
波导 聚焦 二次谐波 超构表面
2022/3/17
利用超构表面优异的波前调控能力将片上光子集成电路对光场的操控拓展至自由空间是当前一项重要课题。本文采用传输相位方法设计了一种基于波导模式激发的内嵌式超构表面，其相位分布同时满足导模的基频以及二倍频的聚焦。在此基础上，将内嵌式材料限定为相变材料，结合其在不同相态时的折射率差异，通过仿真手段实现了两种相态下分别针对于基波和二次谐波的聚焦。在基波（或二次谐波）实现高质量聚焦时，焦点处二次谐波（或基波）的...
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼（SERS）生化检测研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种基于纳米森林的超疏水高粘附基底用于分子的双重富集，所制备的3D结构的金/银纳米杂化结构能很好地将待测物分子限制在“热点”处，从而成功实现分子富集与杂化结构的有效融合。所制备的SERS基底可实现超低浓度分子的检测，且对混合农药具备特异性检测...
2019年8月7日，中国科学院深圳先进技术研究院材料所光子信息与能源材料研究中心杨春雷团队在半导体SERS基底研究方面取得新进展，相关成果以Tunable 3D light trapping architectures based on self-assembled SnSe2 nanoplate arrays for ultrasensitive SERS detection（《基于自组装二硒化...
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室首次在钙钛矿（CH3NH3PbCl3）单晶表观测到了吸附分子4-巯基吡啶（4-MPY）的表面增强拉曼光谱（SERS）信号，增强因子高达10-5。研究表明，钙钛矿材料作为一种半导体材料，具有SERS活性，其表面吸附分子能够在界面处形成一个新的电荷转移态，从而促使激光照射下，界面发生电荷转移共振而产生SERS效应。通过进一步研究，发现...
德研发出世界首个表面等离激元电路
德 世界首个 表面等离 激元电路
2013/11/28
如何在纳米尺寸的集成芯片上实现像操纵电子一样来操控光子是光电子技术未来发展的关键。德国维尔茨堡大学的物理学家近日成功研发出世界首个表面等离激元电路，在可能取代“集成电路”的新一代信息技术领域取得进展。
应用光电化学响应法和Mott-Schottky曲线法, 研究了Ni201在500 ℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质, 分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成. Mott-Schottky曲线表明, Ni201在该中性溶液中生成钝化膜的平带电位约为0.40 V, 其在500 ℃空气中生成的氧化膜的平带电位约为0.15 V, 前者的载流子浓度约是后者...