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Simulation of Si CMES using synopsys sentaurus TCAD tools
Metal oxide semiconductor mechanical engineering inverter ion implantation model
2014/12/31
This paper is concentrated on the development of a complete complementary silicon MESFET technology. The basic difference between MOS and MES are pointed out and design criteria for CMES inverters usi...
2012年4月11日，中国科学院EDA中心在京举办Synopsys Sentaurus TCAD技术研讨会，并邀请Synopsys高级市场部经理John Wang担任主讲。中国科学院在京科研院所的40余名科研人员参加了会议。
基于TCAD的微电子虚拟工艺过程的研究
集成电路 TCAD模型 微电子器件
2008/10/7
该项目研究了微电子器件和集成电路的虚拟工艺过程，改进了IC工艺与器件相关的TCAD模型，以及图形、图像数据库中图形、图像的重构与重建。针对小尺寸MOST和高温CMOS工艺与集成电路难以用普通的TCAD仿真的问题，项目研究建立了相关的器件TCAD模型，该模型为进一步开发微电子器件和集成电路的虚拟工艺程序奠定了基础。