搜索结果: 46-60 共查到“知识库 电子科学与技术 半导体”相关记录207条 . 查询时间(0.483 秒)
双光注入分布反馈半导体激光器的非线性动力学态实验研究
分布反馈半导体激光器 DFB-SLs 双光注入 非线性动力学 单周期 倍周期 混沌
2014/2/17
实验研究了分布反馈半导体激光器（DFB-SLs）在双光注入下的非线性动力学行为. 研究结果表明：与单光注入相比，双光注入将使DFB-SLs呈现更丰富、更复杂的非线性动力学行为. 固定两注入光的波长，获得了双光注入强度取不同值时DFB-SLs输出的光谱和功率谱信息. 基于这些信息，对处于A，B和C三种不同情形下双光注入DFB-SLs所呈现的一些典型的动力学状态进行了判定. 最后，给出了双光注入DFB...
衍射微透镜阵列用于半导体激光光束匀化
光束匀化 衍射光学 半导体激光器 微透镜阵列
2016/8/23
提出了一种用衍射微透镜阵列对半导体激光光束进行匀化的方法，解决了折射型微透镜阵列难于实现高填充因子、高精度面型的难题。基于标量衍射理论，设计了具有多阶相位结构的衍射微透镜阵列。采用菲涅耳衍射公式，推导了半导体激光从输入面到输出面的光场计算公式。数值模拟了成像型微透镜阵列匀化系统，并研究了微透镜口径及相位台阶数对焦斑均匀性的影响。结果表明：当衍射微透镜的口径D=0.27 mm、相位台阶数L=16 时...
采用含掺杂半导体光子晶体的太赫兹梳状滤波器
光子晶体 掺杂半导体 缺陷模 太赫兹滤波
2016/8/22
用a 介质（n 型掺杂GaAs）和b 介质（TiO2）组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明：此光子晶体在3.0~4.5 THz 范围内出现了5 个透射率为1 的缺陷模，这些缺陷模有如下特征：当n型掺杂GaAs 的掺杂浓度n由1017/cm3 增加到1019/cm3 时，缺陷模的中心、半峰全宽度和透射率均保持不变，但若n增至1020/cm3，则缺陷模的透射率开始下降。入射角增加，缺陷模的透射率保持...
半导体激光器在各领域的广泛应用要求其输出功率不断提高，使得多芯片集成封装大功率半导体激光器的发展成为主流之一。针对典型的12 只芯片以阶梯形式封装的百瓦级激光器，利用ANSYS 软件进行了稳态热分析，模拟得出芯片有源区温度及其热耦合温升与热沉结构尺寸变化的关系曲线，分析了该激光器热特性，进而提出一种使芯片散热较好的热沉结构。
半导体光放大器中SPM效应对光脉冲传输性能的影响
半导体光放大器 自相位调制 波形 频谱
2016/8/19
为了研究半导体光放大器（SOA）中自相位调制（SPM）效应对光信号传输性能的影响，从SOA中光脉冲的传输方程出发，采用数学推导的方法，分析了SPM 效应的产生机理，得到了光脉冲经SOA 放大后的时域和频域变化特性，并针对无啁啾和带啁啾光脉冲两种情况进行了仿真研究。结果表明：SPM 导致了光脉冲时域波形的“倾斜”和频谱的红移，并且随增益的变大“倾斜”和红移的程度增强；啁啾系数的符号决定了频谱是红移还...
浅析元件参数对外腔半导体激光器输出谱宽影响
半导体激光器 外腔 谱线压缩
2016/8/17
半导体抽运碱金属蒸气激光器（DPAL）需大功率窄线宽泵浦源，但市售半导体激光器输出线宽远远大于碱金属原子吸收谱宽，难以实现有效泵浦，因此需采用Littrow 外腔法压窄半导体激光器输出谱宽。Littrow 外腔系统中元件参数的选择直接影响大功率半导体激光器输出谱宽。为此文中沿入射光线方向构建外腔压窄模型，利用球面镜替代柱面镜，分析了微柱透镜阵列、光学系统和光栅元件对外腔输出谱宽的影响，模拟结果为微...
半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方法
半导体集成电路芯片 质量 可靠性
2016/9/21
针对国内目前没有专门用于保证半导体集成电路芯片质量与可靠性要求的相关标准，相应测试、可靠性 研究水平也较为落后的情况，对半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方法进行研究。介绍半导体集成电路芯片质 量与可靠性保证方面的国际、国内标准与技术水平现状，提出在目前技术水平下需从设计、工艺、筛选验证3 个方 面保证半导体集成电路芯片质量与可靠性，在筛选验证方面提出芯片筛选、封装样品考核相结合的方式。结果表明，...
采用12只出射波长为976 nm的传导冷却半导体激光短阵列为发光单元，研制出了百瓦级高功率光纤耦合模块。首先，利用光束转换器（BTS）和柱透镜对每只半导体激光短阵列进行光束整形，使得快慢轴方向光束质量接近并且发散角相同；然后，应用空间合束技术将每6只半导体激光短阵列在垂直方向上叠加，形成一个激光组，并利用偏振分束器（PBS）将两个激光组偏振合束；最后利用优化设计的三片式聚焦镜将激光耦合到光纤中。实...
设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，用于解决852 nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型，计算并模拟对比了InAlGaAs, InGaAsP, InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移，结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰...
脉冲半导体激光束并合参数研究
脉冲半导体激光器 光束并合 距离选通成像
2016/9/1
采用光束并合的方法可以提高脉冲半导体激光器峰值功率以及远场光斑的均匀性，从而提高激光主动成像系统的作用距离，并实现系统的小型化。首先应用指数高斯光束传输模型推导了并合光束的远场能量分布，并采用Matlab 仿真软件对影响光束并合效果的各激光器间轴线夹角、各激光器延迟时间以及并合激光器的间距等参数进行研究，最后进行光束并合实验，获得了1.5 km 外目标的选通成像图像，对比了不同并合激光数目对成像性...
半导体激光器稳频技术
半导体激光器 频率稳定 主动稳频 参考频率
2016/8/30
窄线宽稳频激光器在精密干涉测量、光学频率标准、激光通信、激光陀螺、激光雷达、基本物理常数测量和冷原子系统等研究领域有着广泛的应用。自由运转的半导体激光器每天的频率漂移量可以达到GHz，因此研究半导体激光器的稳频具有十分重要的意义。以780 nm的半导体激光器稳频为例，介绍了目前广泛使用的各种半导体激光稳频技术的基本原理及试验方案，如消多普勒饱和吸收光谱稳频技术、消多普勒双色谱稳频技术、调制转移谱稳...
针对半导体温控系统大时间常数、时滞较大且易受参数扰动影响的问题，提出了自抗扰控制(ADRC)技术。针对自抗扰控制器待调节参数多、参数整定较为困难的问题，从fal函数特性及扩展状态观测器(ESO)设计出发，确定了自抗扰控制器的参数，并探讨了如何准确估计建模误差与外扰。仿真试验表明，系统在半导体致冷器件优值系数、冷热端温差发生变化及受到电压纹波干扰时均具有良好的鲁棒性能和动态性能。
应用光电化学响应法和Mott-Schottky曲线法, 研究了Ni201在500 ℃空气中生成的氧化膜和在pH值为8.4的中性缓冲溶液中阳极氧化生成钝化膜的半导体性质, 分析了Ni201表面钝化膜的结构和组成. Mott-Schottky曲线表明, Ni201在该中性溶液中生成钝化膜的平带电位约为0.40 V, 其在500 ℃空气中生成的氧化膜的平带电位约为0.15 V, 前者的载流子浓度约是后者...
基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。