搜索结果: 1-4 共查到“知识库 电子元件与器件技术 色散”相关记录4条 . 查询时间(0.046 秒)
载流子色散型硅基CMOS光子器件
集成光学 硅基 载流子色散效应
2009/10/22
为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化，介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点，并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果，光调制器消光比约18 dB，1×2光开关消光比约21 dB，谐振环的消光比8～12 dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件，将能使集成...
等离子体部分填充的波纹慢波结构中电磁波色散特性
波纹慢波结构 等离子体部分填充 电磁波
2009/2/18
对有限厚环形等离子体层填充的波纹慢波结构中电磁波色散特性进行了分析。研究结果表明，对于ω＞ωp的高频TM0n模，模式色散曲线随等离子体密度的增加而上移；ω≤ωp的低频等离子体模为一系列呈周期变化的密度谱，部分模式能与电子注发生较强的同步互作用。等离子体模的时间增长率随等离子体密度的增加快速增加，而TM0n模则快速减小或缓慢增加，因此在较高的等离子体密度下，高频模式可能被抑制。
该文将有限厚度的实际螺旋带等效为存在无限薄螺旋带的等厚真空层，从场分析和软件模拟两个方面研究了等效慢波结构的色散特性和耦合阻抗。将理论计算、软件模拟和实验测试结果进行了比较，结果表明，用真空层等效有限厚度的实际螺旋带时，将无限薄螺旋带置于等厚真空层的中央，其螺旋慢波结构的色散特性和耦合阻抗的理论计算、软件模拟和实验测试结果三者取得了很好的一致。