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本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V.测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97dBm,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3...
像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分，其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOS APS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析，并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中，设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路，一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换，另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现，两种方案各具特点，分别适用不同的应用...
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal鄄oxide鄄semiconductor) OPAMP(operational amplifier),对PMOST(P鄄type metal鄄oxide鄄semiconductor transistor)输入标准6H鄄SiC CMOS 两级运算放大器的高温 等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice 仿真. 仿真...
CMOS-MEMS体硅陀螺的系统仿真
陀螺电学模型 CMOS-MEMS体硅陀螺 工艺误差 系统仿真
2014/5/14
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径，但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。本文通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型，实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真，陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析，从而能够了解它们相互之间的影响，更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。
采用标准LOGIC CMOS工艺制造的新型嵌入式不挥发存储器
存储器 CMOS工艺 不挥发
2008/11/20
2004年，绵阳凯路微电子公司已经启动新型RFID标签芯片产品的项目，在该项目中，采用XPM替代常规的EEPROM。XPM存储器采用有别浮置栅的新型存储机理。XPM技术的物理原理与传统的FLASH（快闪）存储器，ANTIFUSE（反熔丝），PFRAM（Polymeric Ferroelectric RAM，铁电存储器），MRAM（磁存储器）以及Ovonyx（类似于DVD的存储介质）等其它技术有本质...
一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源
CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿
2008/10/6
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源. 由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV. 通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃. 在电源电压为1.1V时，电源电流为43μA，低频的PSRR为55dB. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm 混合信号工艺验证，芯片面积为0.186mm2.