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InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算
标准InGaAs 转移电子光阴极 密度泛函理论
2016/8/16
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据Kramers-Kronig关系推出标准I...
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7 μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参...
本文以UV/O3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级
发光管 InGaAsP/InP 双异质结发光管 深能级
2010/4/12
本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
半导体界面 阳极氧化 介质薄膜
2009/10/20
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al2O3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al2O3的介电常数为11～12,Al2O3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在Ec-Ec=0.5eV,其俘获截面约为10-15cm2,Al2O3/InP的界面态密度...
The Effect of Collector Doping on InP-Based Double Heterojunction Bipolar Transistors
Doping InP-Based Double Heterojunction Bipolar Transistors
2009/7/28
High current effects on double heterojunction bipolar transistor (DHBT) performance were investigated. Three DHBTs with different collector doping densities were grown and processed. DC and RF measure...
研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器. 它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP (1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成. 采用半矢量三维束传播（BPM）方法以及中心差分格式，模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率，从而得到了最优耦合条件. 对于TE偏振和TM偏振模，计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%. 同时，计算表明，此类基于稀释波导...
InGaAs/InP APD探测器光电特性检测
静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
2012/4/17
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA，在直径500 mm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过...
InP-Based Waveguide Integrated Photodetectors for High-Speed Optical Communication Systems
photodetector photonic integrated circuit balanced and differential photodetector
2010/7/15
We report on the development of evanescently coupled waveguide integrated photodetectors in single-ended,differential and balanced configurations, using a flexible monolithic integration scheme on InP...
Direct Growth of High-Quality InP Layers on GaAs Substrates by MOCVD
Metamorphic buffer layer LP-MOCVD HEMT
2010/12/7
In this report, we have overcome the drawback of surface roughness of metamorphic buffer layer by LP-MOCVD technique and have grown InP metamorphic buffer layers with various thickness on misoriented ...
InP-based Monolithic Optoelectronic Integrated Circuits
InP-based monolithic integration transmitter photoreceiver OEIC
2010/7/15
The development in InP-based optoelectronic monolithically integrated circuits of both the receiver and transmitter are introduced. The results of a 1.3Gbit/s long wave length monolithiclly integrated...
γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
γ辐照 双异质结发光管 光功率
2009/12/29
本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107 rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的I-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度(τ/τ0)讨论了有关结果。