搜索结果: 1-15 共查到“知识库 半导体技术 CMOS”相关记录28条 . 查询时间(0.191 秒)
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来，是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高，高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势，可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
A 640 512 CMOS Image Sensor with Ultrawide Dynamic Range Floating-Point Pixel-Level ADC
Analog-to-digital conversion (ADC) CMOS image sensors digital cameras dynamic range image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level ADC video cameras
2015/8/12
Analysis results demonstrate that multiple sampling can achieve consistently higher signal-to-noise ratio at equal or higher dynamic range than using other image sensor dynamic range enhancement schem...
A Nyquist-Rate Pixel-Level ADC for CMOS Image Sensors
Analog-to-digital conversion cameras CMOS image sensors image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level analog-to-digital converter (ADC) video cameras
2015/8/12
A multichannel bit-serial (MCBS) analog-to-digital converter (ADC) is presented. The ADC is ideally suited to pixel-level implementation in a CMOS image sensor. The ADC uses successive comparisons to ...
N3ASICS: Designing Nanofabrics with Fine-Grained CMOS Integration
NASIC N3ASIC nanowires nano-CMOS hybrid systems 3-D integration
2014/12/8
Nanoscale-computing fabrics based on novel materials such as semiconductor nanowires, carbon nanotubes, graphene, etc. have been proposed in recent years. These fabrics employ unconventional manufactu...
On Detection, Analysis and Characterization of Transient and Parametric Failures in Nano-scale CMOS VLSI
Automatic Test Pattern Generation Crosstalk Design-for-Testability Integrated Circuit Intermittent Failure Soft Error
2014/11/7
As we move deep into nanometer regime of CMOS VLSI (45nm node and below), the device noise margin gets sharply eroded because of continuous lowering of device threshold voltage together with ever incr...
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2dB至4dB,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50dB.整个电路的直流功耗小于32mW.
与CMOS工艺兼容的皮拉尼传感器研究
皮拉尼传感器 CMOS 工艺 MEMS 微热板
2014/4/22
皮拉尼传感器广泛用于105Pa~10-1Pa的粗真空测量。本文在基于MEMS工艺的皮拉尼传感器的基础上研制了一款与标准CMOS工艺兼容的皮拉尼传感器。它采用钨微热板作为敏感元件，工作在恒电流模式下。该传感器利用0.5μm标准CMOS工艺加工，对10-1Pa~105Pa的气压有响应，尤其对1Pa to 100Pa气压具有线性响应。
0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
静电放电 保护电路 反馈
2009/10/21
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路．该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件，同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度，使得保护电路能够及时关闭，避免箝位器件栅极电流保持过长时间，保护了箝位器件的栅极．此外，该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件，节省了电路的成本．
Investigation of CMOS Varactors for High-GHz-Range Applications
Investigation CMOS Varactors High-GHz-Range Applications
2009/9/4
This paper explores a variety of different CMOS varactor structures for RF and MMICs. A typical 0.18μm CMOS foundry process was used as the study platform. The varactors' capacitance-voltage character...
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
亚微米LDD器件 模拟 可靠性
2009/9/1
针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析
CMOS数字集成电路 瞬态特性 高温CMOS
2009/9/1
本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。
CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析
CMOS 差分电感 串联电感对 串扰
2009/8/31
该文分析了基于中芯国际0.18μm CMOS工艺的差分电感和串联电感对，提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应，并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后，通过对一组变间距的电感对进行测量分析，验证了该模型的准确性和适用性。
基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源
带隙电压基准源 负反馈箝位 温度稳定性
2009/4/30
该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz~1MH...
新型CMOS JK触发器
CMOS JK触发器 开关级设计
2009/4/17
该文以双反相器闩锁电路为基本存贮单元,采用开关级设计方法设计出一种新型的CMOS JK触发器。与传统设计相比,新设计具有较简单的结构、较少的元件以及较快的工作速度。