搜索结果: 1-15 共查到“知识库 半导体技术 效应”相关记录23条 . 查询时间(0.359 秒)
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
半导体光放大器中SPM效应对光脉冲传输性能的影响
半导体光放大器 自相位调制 波形 频谱
2016/8/19
为了研究半导体光放大器（SOA）中自相位调制（SPM）效应对光信号传输性能的影响，从SOA中光脉冲的传输方程出发，采用数学推导的方法，分析了SPM 效应的产生机理，得到了光脉冲经SOA 放大后的时域和频域变化特性，并针对无啁啾和带啁啾光脉冲两种情况进行了仿真研究。结果表明：SPM 导致了光脉冲时域波形的“倾斜”和频谱的红移，并且随增益的变大“倾斜”和红移的程度增强；啁啾系数的符号决定了频谱是红移还...
考虑热电耦合效应的全芯片温度特性优化方法
延时 功耗 缓冲器插入
2009/12/9
针对全局互连延时已成为制约电路性能的关键因素问题，提出了一种全芯片温度特性优化方法，使功耗和温度间的反馈在功耗模型与HotSpot软件结合运算数次后收敛，根据收敛结果确定优化方向．该方法同时考虑了延时、功耗和温度三者间的热电耦合效应．采用该方法对 90nm工艺的AMD Athlon 64 处理器进行仿真验证，结果表明，采用这种方法优化得到的芯片功耗和温度均有显著下降，芯片温度梯度也明显改善，芯片温...
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
脉冲功率 高电压 半导体开关 Marx发生器 金属氧化物半导体场效应管
2010/4/7
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比，用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）替代气体火花隙开关，用二极管替代电阻，由于可重复频率运行，所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同，在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节，以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外，实验对开关进行光纤隔离，而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器，这不仅有利于保...
深能级中心的电场增强载流子产生效应
半导体 深能级中心 MOS电容
2009/9/1
本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有关的实验结果。
硅CVD外延自掺杂效应的分析研究
硅 反向补偿 CVD
2009/8/31
本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
掺杂超晶格量子阱的沟道效应与沟道辐射
量子阱沟道辐射 正弦平方势 超晶格
2009/8/24
分析了超晶格量子阱的沟道效应和沟道辐射，利用正弦平方势描述了掺杂超晶格量子阱沟道粒子的运动行为，并在经典力学框架内，把粒子的运动方程化为摆方程。用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期，导出了量子阱沟道辐射的辐射强度和辐射能量。结果表明，对于能量为100 MeV左右的电子，辐射能量可达keV量级（X能区）。指出了用量子阱沟道辐射作为X激光或γ激光的可能性。
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非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究
非晶态半导体 As2S8半导体薄膜 光折变效应
2009/8/14
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象.采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象.实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者...
半导体在改善能源效应中的角色
半导体 能源效应 角色
2009/8/5
随着大量能源被消耗掉，尤其是不可再生能源，接踵而来的是日益凸现的能源危机和环境保护问题。在我们努力开发风能、太阳能这些替代能源的同时，还必须寻找新的途径，力求以更少的能源消耗完成更多的任务，并且改善温室效应导致的环境恶化。集成电路被寄予了厚望。随着过去半个世纪的技术创新，特别是在微电子领域，能源的利用已经成为生产力以及世界各地人民生活水平提高的主要推动力。半导体技术的持续进步对家庭，工厂和运输系统...
用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
非晶硅 电荷放大效应 光电灵敏度法
2009/5/11
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在105V/cm电场下,高达4.3×103。本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增益值计算了电子迁移率与寿命之积。
6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
SiC MOS结构 辐照 平带电压
2009/3/26
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。