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王守觉,院士,男,1925年生,1980年当选为中国科学院院士(技术科学部),曾任中国科学院半导体所所长,2005年11月起聘为厦门大学双聘院士并担任现代电路与系统技术研究所名誉所长。王院士是我国微电子和ICCAD与神经元计算机领域的专家,曾是我国硅平面集成电路工艺的开拓者,近年来他在模糊逻辑和神经网络的半导体集成电路硬件实现和模型算法方面做出了系列创新性贡献,获得过多项国家级科研成果发明奖。目前...
梁骏吾,中国科学院半导体研究所博士生导师,院士。他是中国科学院半导体研究所研究员,多年来从事半导体材料研究工作。其主要研究涵盖半导体材料诸多方面:包括硅、硅锗材料、碳化硅和氮化镓基材料的生长和表征。他也是中国电子学会电子材料分会主任委员。
王占国,中国科学院半导体研究所博士生导师,院士。长期从事半导体材料和材料物理研究。其中,人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果,为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来,他和他的同事又在半导体低维结构(超晶格、量子点、量子线等)材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自...
王大珩(1915.2.26─2011.7.21),应用光学家。原籍江苏苏州,1915年2月26日生于日本东京。1936年毕业于清华大学。中国科学院长春光学精密机械研究所研究员、所长、名誉所长。1955年选聘为中国科学院院士(学部委员)。我国光学事业奠基人之一。对国防现代化研制各种大型光学观测设备有突出贡献,对我国的光学事业及计量科学的发展起了重要作用。50年代创办了中国科学院仪器馆,以后发展成为长...

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