搜索结果: 1-8 共查到“知识要闻 电子技术 CMOS”相关记录8条 . 查询时间(0.069 秒)
14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术研发取得进展(图)
14纳米 CMOS量产工艺 光源掩模 优化技术
2016/11/8
近日,中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展,完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作,包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估,较原有光源在各项关键指标上有显著提升,保证了先进节点中光刻工艺的稳定性,确保后续研发进程的顺利进行。
IDT 推出全球精度最高的全硅CMOS振荡器 (图)
IDT 全球 全硅 振荡器
2011/10/31
IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术,可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。
微电子所CMOS超宽带射频前端关键芯片研制取得突破性进展(图)
芯片 进展
2011/11/4
超宽带 (UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术,其传输速率可以达到480Mbps甚至更高,主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域,拥有巨大的市场前景。2004年,美国联邦通信委员会(FCC)将3.1-10.6GHz频段划归为UWB的民用频段,此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。
CMOS超宽带射频前端关键芯片取得突破性进展
超宽带 频集成电路 芯片
2008/8/6
超宽带(UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术,其传输速率可以达到480Mbps甚至更高,主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域,拥有巨大的市场前景。2004年,美国联邦通信委员会(FCC)将3.1—10.6GHz频段划归为UWB的民用频段,此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。
我国在UWB领域也投入了一定的研究,先后得到了国家8...
中国科学院微电子研究所CMOS工艺线顺利交付第一批商业产品
工艺 商业产品
2011/11/4
经过两年的艰苦努力,中国科学院微电子研究所一室CMOS工艺线全体员工克服了经费短缺、设备老化、人员不足的困难,使新的CMOS平台从无到有,初具规模,并于日前成功完成北京奇攀微电子公司第一批4英寸CMOS器件产品订单。首批交付产品经对方检验,性能指标良好,完全达到验收标准。全部产品订单完成后,合同标的总额可达320万以上。此项工作的顺利完成,标志着一室CMOS工艺平台调试工作达到了一个新的阶段。
继成功自主开发出我国首款CMOS全球卫星导航接收射频及基带芯片后,近日,微电子所与杭州中科微电子有限公司联合宣布成功研发出我国首款应用于手机的低成本卫星导航接收芯片组,这标志着微电子所在与杭州市高新区开展的院地合作中取得重大成果。
电子产品世界2007年2月27日报道 瑞萨科技公司与松下电器产业有限公司宣布共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS*1的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512KbSRAM的实验芯片的测试已经得到证实,可以在宽泛的温度条件下(-40℃-125℃)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范...
NEC电子开发55nm CMOS 首次采用ArF曝光技术
NEC电子 CMOS工艺技术 ArF曝光技术
2006/6/29
eNet硅谷动力2006年6月28日报道 NEC电子和NEC日前开发出了55nm CMOS工艺技术。在MOS FET栅绝缘膜中导入了high-k(高介电常数)材料,实现高载流子迁移率,从而同时实现了便携终端等领域所要求的低耗电和高速运行。双方首次采用了液浸ArF曝光技术。