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2015年1月19日,苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授Mario Lanza博士来中国科学院微电子研究所做学术交流,并作了题为“Nanoscale Studies of Resistive Switching in HfO2 RRAM”的学术报告。三室副主任龙世兵研究员主持交流会,中国科学院微电子研究所科研人员、研究生共30余人参加了交流会。

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