搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子技术 效应”相关记录22条 . 查询时间(0.528 秒)
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
2021年6月17日，国家重点研发计划重点专项“基于电卡制冷效应的时空精准芯片主动控温系统设计与研究”项目启动暨实施方案论证会在上海召开，本次会议以线上、线下结合的方式举行。科技部高技术发展中心领导车子璠博士、贾庆岩博士，项目责任专家、南昌航空大学校长罗胜联，项目责任专家孙立贤教授出席指导工作，沈保根院士、成会明院士、宣益民院士、陈永胜教授、靳长青研究员、李敬锋教授、罗二仓研究员、徐卓教授、朱颖心...
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展（图）
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响，使电子计算机掀起了一场变革，人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展，传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点，接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性，通过控制电荷的定向移动（电流）的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性，使其定向移动（自旋...
近日，上海技物所王林、陈效双、陆卫研究团队和东华大学、意大利拉奎拉大学相关团队共同合作，通过精确操控第二类狄拉克费米子态诱导布洛赫自旋电子单向散射，实现高频信号传递，相关成果以“High-frequency rectifiers based on type-II Dirac fermions”（DOI: 10.1038/s41467-021-21906-w）为题发表于《自然-通讯》（Nature ...
单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世（图）
单原子层沟道 鳍式场效应 晶体管 问世
2020/3/6
20世纪40年代以来，以微电子技术为主导的信息技术革命极大推动了科学技术的发展和社会的变革。过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。目前集成电路中可实现的最小加工尺寸为3-5纳米。当前，随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限，进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。
高相变温度是铁电体在实际应用中不可或缺的条件。在过去的几十年里，前赴后继的科研工作者们利用“应变工程”和“同位素效应”成功实现了铁电体相变温度的提升。然而，“应变工程”的应用范围主要倾向于无机铁电薄膜，而“同位素效应”也仅限于某些特定的体系，如氢键型铁电体，并不具有一定的普适性。近期，我校国际有序物质科学研究院的汤渊源教授成功利用托福（氟）效应实现了分子铁电体相变温度的提升，其相关研究成果以“H/...
东南大学本科生运用托福（氟）效应在Angew. Chem. Int. Ed.上发表世界第一例亚硝酸镍分子铁电体（图）
东南大学 本科生 托福（氟）效应 Angew. Chem. Int. Ed. 世界第一例 亚硝酸 镍分子 铁电体
2019/5/14
近日，在“东南大学十大科学与技术问题”启动培育基金的资助下，学校国际分子铁电科学与应用研究院（内有江苏省“分子铁电科学与应用”重点实验室）倡导了“似球—非球”和“托福（氟）效应”两大分子铁电体设计原则。通常氟/氢取代在结构保持基本不变的前提下，一方面可以降低晶体的对称性，另一方面可以调节相变点。作为同位素效应的补充，氟/氢取代设计分子铁电体被称为托氟效应，在双托氟效应的作用下，甚至可以将非铁电体调...
自旋电子学是一门交叉学科，其核心内容是通过调控固态系统中电子的自旋自由度，将标准的微电子技术与自旋相关效应有机结合在一起，为研制新一代高性能电子器件提供机会。值得一提的是，与当今已广泛应用的金属-氧化物-半导体电子器件相比，电压（或电场）调控的自旋电子器件具有能耗低、处理速度快、集成度高及功能多等优势，近年来在信息技术领域引起了人们的普遍关注。然而，由于在一般材料中磁化强度和电场之间缺乏足够强的直...
近日，在西安交通大学电信学院微电子学院贺永宁教授和青年教师彭文博的指导下，博士生潘子健和李芳沛等研究成员以异型和同型异质结光电二极管为研究对象，通过对比压电光电子学效应在两种异质结光电二极管器件中的性能调制作用，系统地研究了不同器件结构对压电光电子学效应的影响。研究结果表明，压电光电子学效应能使p-n异型异质结光电二极管器件的性能增强约150%，而仅能使n-n同型异质结光电二极管器件的性能增强约5...
中国科学院物理研究所发现基于磁性绝缘体的磁子阀效应（图）
中国科学院物理研究所 磁性绝缘体 磁子阀效应
2018/3/9
面向后摩尔时代的信息存储与逻辑运算需求，自旋电子器件在开发下一代具有更小单元尺寸、非易失性、低功耗和高速度的微电子器件中提供了具有广阔前景的发展方向。其中，自旋阀是各类自旋电子器件的核心单元，自旋阀通常包括两层铁磁金属和非磁中间层构成的三明治核心结构，由于自旋极化电子在两铁磁层间的输运，从而使器件的电阻受到两铁磁层相对取向的调制。基于自旋阀结构的室温巨磁电阻(GMR, 1988年)和室温隧穿磁电阻...
日前，上海科技大学物质学院颜世超教授与德国Max Planck结构与动力学研究所的Sebastian Loth教授合作，在原子尺度自旋链中发现了基于自旋的负微分电阻效应。11月21日，相关成果以“Dynamical Negative Differential Resistance in Antiferromagnetically Coupled Few-Atom Spin Chains”为题，在知...
中国科学院近代物理研究所碳离子束辐射对拟南芥基因组诱变效应研究获进展（图）
中国科学院近代物理研究所 碳 离子束辐射 南芥基因组 诱变效应
2017/11/29
中国科学院近代物理研究所研究人员依托兰州重离子研究装置（HIRFL）浅层治疗及生物辐照终端提供的碳离子束，结合高通量测序技术对模式植物拟南芥基因组的诱变规律进行研究，获得新发现。研究人员采用200Gy的碳离子束，传能线密度（LET）为50keV/μm，辐照诱变拟南芥干种子，构建突变种子资源库。通过高通量测序技术，对11个M3代突变材料进行全基因组重测序分析，共检测到320个碱基置换（substit...
表面有机结构因其在有机电子学的潜在应用前景受到广泛的关注和讨论。在目前普遍用于构筑表面有机结构的相互作用力（包括较弱的氢键、范德华力、π-π相互作用、偶极相互作用，较强的金属-有机配位键、共价键等）中，金属-有机配位结构有助于理解磁学、气相分离以及催化等领域的一些基本现象，因此深入探究金属原子-有机配体相互作用的内在机理是很有必要的。
界面效应用于TMD超导体系研究获进展（图）
界面效 TMD超导体系 单层TaS2纳米片
2017/7/10
近日，中国科学院上海硅酸盐研究所、上海微系统与信息技术研究所、北京大学等共同合作研究，通过化学剥离成单层TaS2纳米片，以及纳米片抽滤自组装而重新堆叠成TaS2薄膜。重新组装的TaS2薄膜打破了原母体的晶体结构，形成了丰富的均质界面，并获得了比母体材料更高的超导转变温度和更大的上临界场。相关研究成果以Enhanced superconductivity in restacked TaS2 nano...
