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高Tc铁电薄膜取向控制生长技术及铁电存储器原型器件高Tc铁电薄膜控制生长铁电存储器原型器件 2008/11/18

该成果利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高Tc铁电薄膜，生长的铁电薄膜主要为Bi_3TiNbO_9(BTN)和Bi_3TiTaO_9(BTT)。在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E，生长温度低于Tc。该成果提供了一种高Tc铁电薄膜取向控制生长技术，采用该技术得到铁电存储器原型器件，其剩余极化较大，抗疲劳性好，具有较好的实用前景。