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日本经济产业省将与美国IBM合作,强化尖端半导体的开发。IBM将加入日本经济产业省的共同开发框架。在半导体设计和基础研方面领先的IBM与在半导体生产设备方面占有优势的日本企业合作,有利于尽快确立制造技术。还计划在半导体供应链方面强化日美合作。
IBM的研究人员近期宣布,已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战,这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。 过去几十年,半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管,从而不断加强芯片的性能。不过,这一发展很快就将遭遇物理极限。目前,IBM的研究人员表示,凭借“重要的工程突破”,碳纳米管晶体管替代硅晶体管未来将成为现实。
应半导体所集成技术中心主任杨富华研究员的邀请, 2011年4月25日上午,美国IBM Thomas J. Watson研究中心的Qinghuang Lin教授来半导体所进行学术交流,并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第141期报告。
在刚刚出版的《科学》杂志上,IBM的研究人员展示了一种由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管(FET),其截止频率可达100吉赫兹(GHz),这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。这一成就是美国国防部高级研究计划局“碳电子射频应用项目”取得的重大进展,为研发下一代通信设备铺平了道路。
2006年12月26日消息,IBM宣称在光芯片领域获得重大突破,已成功减缓光信号在芯片中的传输速度,将来可用于传送资料,取代传统的半导体芯片电路。
IBM索尼东芝缔结纳米技术联盟     IBM  索尼  东芝  纳米技术       2006/1/19
科学时报2006年1月19日报道 IBM、索尼和东芝日前宣布,由于它们组成的联合技术开发联盟合作良好,进入新的5年发展阶段后,在半导体研发方面合作广泛的3家公司,将合作进行与32纳米及更高级技术相关的基础研究。根据协议,它们将更迅速地研究和确定相关的新技术,并尽快实现其商业化。

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