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搜索结果: 1-1 共查到半导体技术 GaAs-AlGaAs相关记录1条 . 查询时间(0.157 秒)
我们用熔融KOH作位错腐蚀剂,并用位错跟踪腐蚀的方法显示DH外延片的位错,结果表明,可以依照 DH外延片顶层(P~+-GaAs层)的位错腐蚀坑形状,区分出从 n-GaAs延伸上来的位错和由异质结外延引进的位错.

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