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搜索结果: 1-10 共查到电子元件与器件技术 CMOS相关记录10条 . 查询时间(0.214 秒)
基于CMOS体驱动,提出低电压放大器抗电磁干扰结构.电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导,通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性,采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性,同时,对称拓扑结构保证了电路的高度对称性,实现了对称的转换速率.该设计采用电源电压为1V的0.35μm标准CMOS工艺实现.对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同传统体驱动放大器相比较.实验...
该文基于65 nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200 kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR) A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC) IP核。在D/A转换电路的设计上,采用“7MSB (Most-Significant-Bit) + 3LSB (Least-Si...
复数滤波器是低中频结构接收机中的一个重要模块,起到镜像抑制的作用。该文针对IEEE802.15.4的低功耗要求,提出了一种可以灵活配置共模反馈模块的伪差分结构OTA,该OTA具有内部共模前馈和共模检测功能,适用于级联应用。基于该OTA结构实现了一个3阶巴特沃斯Gm-C复数滤波器,中心频率在1 MHz,带宽1.3 MHz,带内群延时波动小于0.16 μs,镜像抑制能力满足IEEE802.15.4协议...
为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果,光调制器消光比约18 dB,1×2光开关消光比约21 dB,谐振环的消光比8~12 dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件,将能使集成...
在分析以往高值触发器困难的基础上本文提出了双端予置的逻辑设计方案。应用传输函数理论对四值CMOS触发器进行了电路设计。结果表明,与存贮相同信息量的二个二值触发器相比,它有较简单的结构与较快的工作速度。
分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。 
In this study, a new CMOS differential OTRA topology is proposed. This topology can operate with a very low voltage power supply as \pm 0.6V. In this design, CMOS 0.13 m m STMicroelectronics technolog...
分析了0.13 μm CMOS工艺下适合于IEEE 802.3 ab标准1000Base-T千兆以太网收发器的联合解码均衡器结构。通过分析适用于1000 Base-T的超前计算技术,对超前计算结构进行了优化,降低了现有联合解码均衡器在0.13 μm工艺下的硬件复杂度。通过物理设计确定了优化的联合解码均衡器的算法与结构。优化后,14抽头MA4在0.13 μm工艺下门数减少了8.7 k,约9%,14抽...
设计了一种工作电压为3.3V恒定跨导轨到轨CMOS运算放大器,针对轨到轨输入级中存在的跨导不恒定问题,提出利用电流开关解决这一问题的方法;输出级采用前馈AB类控制的rail-to-rail输出和级联密勒补偿,保证了该运放有大的动态输出范围和较强的驱动负载能力以及好的频率特性。
Modified CMOS inverters with three and four transistors have been made. Two varieties of CMOS Schmitt Triggers have been considered. CMOS Schmitt Trigger with wide hysteresis has been obtained. Comple...

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