搜索结果: 1-4 共查到“电子元件与器件技术 CCD”相关记录4条 . 查询时间(0.227 秒)
电子倍增CCD倍增要件研究
EMCCD 电子倍增 片上增益
2009/11/30
讨论了信号载流子倍增寄存器（CCM）结构及其工作原理,在此基础上建立了电子倍增CCD的碰撞电离模型.通过对CCM倍增结构的研究发现实现倍增的三个必要条件：适中的倍增级电场、适当的浅掺杂浓度以及与电子碰撞平均自由程相当的倍增距离.通过建模研究均匀场强中增益情况表明增益因子为0.01时对应的偏置电压接近EMCCD所用倍增电压.
CCD技术现状及发展思路
思路 CCD 技术
2009/9/17
阐述了CCD技术的国内外最新技术发展动向，提出了发展国内CCD要从技术、人才、资金三管齐下的发展思路。技术措施包括：发展大面阵、长线阵、小像素、高分辨率CCD；提高量子效率（QE）、降低暗电流和噪声；高速图像读出；抗辐射；减少功耗和成本。资金投入方面：国家应加大加快资金投入，从硬件上确保有能力承担起尤其是军事应用对CCD的高要求。人才措施方面：求真务实，以人为本，重视人才培养，努力营造有利于人才流...
光纤锥耦合CCD相机图像的平场校正方法
光纤锥 响应非均性 固定花样噪声
2009/2/20
对于光纤锥或光纤面板耦合的CCD相机所获图像中存在的响应非均性问题进行了阐述,分析了CCD相机输出信号的构成情况和图像传递间的响应关系,并给出了相应的表达式。利用平场校正方法对存在较严重非均性的图像进行了处理,处理过程分为三步：首先获取系统的暗本底图像（包括了暗电流及系统偏置），所选择的积分时间与被用来校正的图像的积分时间相同；其次，获取均匀光场的图像，并将其作为平场校正的参考图像；最后扣除本底，...