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中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展（图）
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-D...
2084年，尽管你已经年近百岁，但抗衰老药物让你依然皮肤紧致，活力满满。而此时的脑机接口技术已经相当成熟，通过它，你用意念控制着你的股票交易账号。这也许是一段科学幻想，生命真的能和电子器件连接吗？
赝电容对于超级电容器能量密度的提升具有很大的前景。获得高性能储能的关键在于构建具有很好相互连通的开孔结构赝电容电极。然而，如何实现赝电容电极结构的一致性规模化构筑以及高活性材料负载下的快速离子/电子传输，仍然具有较大的挑战。