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搜索结果: 1-15 共查到电子元件与器件技术 效应相关记录28条 . 查询时间(0.25 秒)
中国科学院微电子研究所专利:具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及其制造方法
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质,开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术,研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性;研究低维材料的微纳光电器件;研究基于低维半导体的柔性电子器件,发展全柔性智能感知器件与系统集成。
2021年6月17日,国家重点研发计划重点专项“基于电卡制冷效应的时空精准芯片主动控温系统设计与研究”项目启动暨实施方案论证会在上海召开,本次会议以线上、线下结合的方式举行。科技部高技术发展中心领导车子璠博士、贾庆岩博士,项目责任专家、南昌航空大学校长罗胜联,项目责任专家孙立贤教授出席指导工作,沈保根院士、成会明院士、宣益民院士、陈永胜教授、靳长青研究员、李敬锋教授、罗二仓研究员、徐卓教授、朱颖心...
近日,第四届电子元器件辐射效应国际会议(4thInternational Conference on Radiation Effects of Electronic Devices,ICREED-2021)在西安召开。大会荣誉主席为西安电子科技大学郝跃院士,大会主席为北京微电子研究所赵元富研究员。西安交通大学贺朝会教授、西北核技术研究院陈伟研究员、哈尔滨工业大学李兴冀教授、美国Vanderbilt...
本文讨论了在开关电容(SC)滤波器中如何减少增益带宽积(GB)效应的问题,提出了一个减少GB效应的新的双二次拓扑结构,此结构对寄生电容不敏感,并且具有很低的无源W0,Q灵敏度。以低通SC滤波器为例,给出了减小GB效应的具体设计方法。并用设计实例和实验结果证明了所得结论的正确性。
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,ID
本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。
本文介绍利用WT57 GaAs体效应管研制的W波段宽带机械调谐振荡器。连续调谐范围为75—110GHz。在带宽为10--15GHz的中心频段,可输出大于10mW的功率。并对振荡器的偏压电子调谐特性进行了实验研究。
采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106~109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
研究粒子和管道的特征长度,分析粒子穿过管道的过程,以探讨粒子与管道相互作用的尺度效应。在此过程中,采用粒子覆盖管道截面和粒子填充管道空间的方法,推导出截面覆盖度和管道体积填充度的关系式,计算球形粒子通过圆形管道的相关参数。研究结果表明:当管口直径D略小于粒子直径d的2倍时,截面覆盖度最小为25%;当管口直径大于粒子直径的2倍后,覆盖度有大有小,但总的趋势是,随着粒子的直径减小,覆盖度增加;D/d的...
从Boltzmann积分微分方程出发推出了保守势场中电子数密度按势能的分布规律,即Boltzmann统计分布。以此为基础,从统计动力学的角度详细分析了变像管相机中超短电子脉冲内部的空间电荷效应,通过求解Poisson方程得出了表征空间电荷效应的两个特征参量:空间电荷密度分布函数和速度分布函数,并对其按电位的动态变化规律进行了定性讨论。结果表明,限制变像管中的低电位区域和其中光电子脉冲从高电位向低电...
HPM对微波器件的输出脉冲影响主要有幅度变化、脉宽变化、相位变化以及暂时性压制,以此为基础建立了4种效应参量的模型,分别是衰减因子、脉宽、相移和压制时间。在建立效应参量模型时,参照分离变量法,提出使用加权函数的方法把多维函数分解成多个1维函数相乘,基本解决了利用有限实验数据建立数学模型的问题。给出了利用效应数据建立数学模型所常用的几种数据处理方法,如曲线拟合、查表/插值和概率统计,并给出了该方法在...
在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数,其长线传输距离达到50 m以上,最大可测门数达到了100万门,为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。
大连海事大学线性电子线路课件第3章 场效应管。

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