搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 SOI”相关记录16条 . 查询时间(0.174 秒)
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2016/7/15
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
上海微系统与信息技术研究所举办“新微技术论坛”第一期——SOI应用研讨会
新微技术论坛 SOI应用研讨会
2011/12/23
2011年11月30日，SOI应用研讨会——暨“新微技术论坛”之“重大突破”系列讨论在微系统所举行，来自学术界、产业界、行业协会以及投资界的近百名专家学者参会，共同探讨SOI技术应用现状及前景。
（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成...
SOI 产业联盟访问上海微系统所（图）
产业联盟 访问
2011/11/10
5月24日，SOI产业联盟（SOI Industry Consortium）执行总裁Horacio Mendez一行访问上海微系统所。上海微系统所党委书记、常务副所长王曦，微电子所所长叶甜春及来自华润上华和宏力公司的代表参加了会谈。
SOI 产业联盟访问上海微系统与信息技术研究所（图）
产业联盟 访问
2011/11/25
2010年5月24日，SOI产业联盟（SOI Industry Consortium）执行总裁Horacio Mendez一行访问上海微系统与信息技术研究所。上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长王曦，微电子所所长叶甜春及来自华润上华和宏力公司的代表参加了会谈。
SOI小组国际合作成果在Nano Letters上发表（图）
国际合作 发表
2011/11/14
随着晶体管尺寸的不断减小，水平分布的晶体管结构将遇到很大挑战，具有垂直结构的硅纳米线晶体管将会是很有前途的发展方向。作为下一代纳米电子材料，硅纳米线得到广泛应用的关键是要解决电学掺杂问题。具有一维结构的硅纳米线的掺杂同常规的三维体材料有很大的区别，而且缺乏合适的测试手段对如此小尺寸的材料中的载流子分布进行电学表征。
扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
单晶硅薄膜 SOI技术 材料改性
2009/9/1
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了200×25μm2的单晶区。
一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关
热光开关 多模干涉耦合器 SOI
2009/3/3
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其...
电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究
X射线 SOI MOSFETs
2008/10/20
采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应. 实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应. 分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅（BOX/SOI）界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因. 基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.
全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型
全耗尽SOI MOSFETs 电势 阈值电压
2008/10/7
提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型. 基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解. 同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型. 该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系，同时还近似地探讨了短沟道效应. 为了进一步验证模型的正确性，利用SILVACO ATAS软件进行了相应的模拟. 结果表明，模型计算与软件模拟吻...
《高端硅基SOI材料研究集体》获得2007年中国科学院杰出科技成就奖（图）
中国科学院 杰出 成就奖
2011/11/11
在3月26日下午闭幕的中国科学院2008年度工作会议上，全国人大常委会副委员长、中国科学院院长路甬祥向获得2007年中国科学院杰出科技成就奖的个人和集体颁发了奖章和奖杯。我所的《高端硅基SOI材料< 研究集体》获得2007 年院杰出科技成就奖。中国科学院杰出科技成就奖主要奖励近五年内完成或显示影响的重大成果的个人或研究集体。 中国科学院杰出科技成就奖的评审坚持高标准、严要求、宁缺勿滥的原则，每两年...
《高端硅基SOI材料研究集体》获得2007年中国科学院杰出科技成就奖（图）
获得 成就奖
2011/11/23
在3月26日下午闭幕的中国科学 院2008年度工作会议上，全国人大常委会副委员长、中国科 学院院长路甬祥向获得2007年中国科学院杰出科技成就奖的 个人和集体颁发了奖章和奖杯。我所的《高端硅基SOI材料< 研究集体》获得2007 年院杰出科技成就奖。
DRT MC SOI LIGBT 器件新结构的可实现性初探
2007/7/28
期刊信息
篇名
DRT MC SOI LIGBT 器件新结构的可实现性初探
语种
中文
撰写或编译
作者
张海鹏,邱晓军,沈世龙,胡晓萍,许明恩,龚芳萍,徐文杰,万泉
第一作者单位
刊物名称
中国科技论文在线
页面
1-4
出版日期
2005年
7月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
新结构SOI LIGBT器件的基础研究
“高端硅基SOI材料研发和产业化”项目喜获国家科技进步一等奖（图）
SOI材料研发 喜获 国家科技 等奖
2011/11/21
日前，2006年度国家科学技术奖评选结果在京揭晓， 我所“高端硅基SOI材料研发和产业化”项目获得了2006年 度国家科技进步奖一等奖。 此次国家科学技术进步奖一等 奖有11项，二等奖173项。“高端硅基SOI材料研发和产业 化”项目的主要完成人为：王曦，林成鲁，张苗，陈猛， 俞跃辉，张峰，李炜，宋志棠，张正选，刘卫丽，王连 卫，林梓鑫，陈静，李守臣。
Analysis on SOI(Silicon-on-Insulator)-based MMICs(Multimode Interference Couplers) with different thickness of upper Silicon layer
SOI MMICs thickness Silicon layer MMI
2010/7/16
It is compared with each other that MMIs made of SOI wafers with different thickness of upper Si layer have different properties. MMI coupler made of SOI wafers with thinner Si layer has better self-i...