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Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除 3C-SiC 碳化异质外延生长 Si衬底 2012/4/15

利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜，研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响；探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析，得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃，碳化时间为5 min，生长温度为1 200 ℃，生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...