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中国科学院上海微系统与信息技术研究所在石墨烯导热膜尺寸效应研究方面取得进展(图)
导热膜 电子器件 纳米材料
2024/8/20
石墨烯导热膜是电子器件和系统重要的热管理材料。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米材料与器件实验室丁古巧团队在石墨烯导热膜尺寸效应研究方面取得重要进展。通过建立亚微米-微米氧化石墨烯原料横向尺寸与导热膜热导率之间的联系,该工作深化了3000 ℃ 高温下氧化石墨烯组装体还原重组过程的理解,为组装石墨烯等二维材料构建高性能宏观体提供了新思路。
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理(图)
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能,是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...
2021年6月17日,国家重点研发计划重点专项“基于电卡制冷效应的时空精准芯片主动控温系统设计与研究”项目启动暨实施方案论证会在上海召开,本次会议以线上、线下结合的方式举行。科技部高技术发展中心领导车子璠博士、贾庆岩博士,项目责任专家、南昌航空大学校长罗胜联,项目责任专家孙立贤教授出席指导工作,沈保根院士、成会明院士、宣益民院士、陈永胜教授、靳长青研究员、李敬锋教授、罗二仓研究员、徐卓教授、朱颖心...
第四届电子元器件辐射效应国际会议召开(图)
西安交通大学 电子元器件 辐射效应
2021/6/10
近日,第四届电子元器件辐射效应国际会议(4thInternational Conference on Radiation Effects of Electronic Devices,ICREED-2021)在西安召开。大会荣誉主席为西安电子科技大学郝跃院士,大会主席为北京微电子研究所赵元富研究员。西安交通大学贺朝会教授、西北核技术研究院陈伟研究员、哈尔滨工业大学李兴冀教授、美国Vanderbilt...
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展(图)
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响,使电子计算机掀起了一场变革,人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展,传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点,接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性,通过控制电荷的定向移动(电流)的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性,使其定向移动(自旋...