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2023年1月12日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。 相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化(trap-healing)现象,由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高,并具有跨导不依赖于栅压的电学特性,这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应,且存在其他影响电学性能的机制。
余长宏,男,1978年11月生,博士、副教授。主讲《电路CAD(英)》、《现代ASIC技术》(硕)等课程。主要研究方向为系统集成及电路优化设计等。2002年浙江大学电子信息工程学士;2007年浙江大学通信与信息系统博士。主持浙江省自然科学基金青年基金项目一项,完成省教育厅科研项目一项。以第一作者发表EI论文10余篇。
顾春,男,特任副研究员。近年来主要从事全色激光显示技术和光纤激光技术。共发表文章50余篇,获得发明专利授权13项,实用新型20余项。
晶体材料国家重点实验室是我国首批建设的十个国家重点实验室之一,1984年获准在山东大学晶体材料研究所的基础上建设,1987年通过验收并正式对外开放,创始人为我国著名材料学家、中国科学院院士蒋民华先生。实验室以打造国家战略科技力量为目标,秉承“需求牵引,单晶为本,敬业团结,育晶育人”的建设宗旨,以功能晶体材料和器件为研究重点,在满足国家重大需求中不断成长,为我国军民高新领域提供了关键核心光电材料保障...
近日,第四届集成电路EDA设计精英挑战赛(简称:EDA精英挑战赛)全国总决赛落下帷幕,山东大学代表队经过层层的激烈角逐,5支参赛队伍全部入围全国总决赛并全部获奖,其中1支队伍获得一等奖、1支队伍获得二等奖、1支队伍获得三等奖、2支队伍获得优胜奖,微电子学院王永教授荣获优秀指导老师奖,山东大学获评优秀组织奖,创下山大学子参加该项赛事的历史最佳成绩。
近日,山东省教育厅联合山东省工业和信息化厅组织开展了2022年山东省现代产业学院建设遴选工作,经过学校推荐、形式审查、专家评审、择优遴选等程序确定了22个山东省现代产业学院,由山东大学微电子学院在国家示范性微电子学院建设基础上组织申报的山东大学集成电路产业学院成功入选。
2022年12月14日,中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在圆偏振激光控制单层石墨烯产生反向光电流方面取得进展,相关研究成果以Bidirectional residual current in monolayer graphene under few-cycle laser irradiation为题发表于Optics Express。
近日,合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像(single-pixel imaging),设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管,在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
在计算机视觉领域,神经网络在图像识别、图像分割和目标检测方面具有先进性能。然而,基于传统冯诺依曼架构的神经网络的分类和检测方法面临存算分离的计算难题。而忆阻器作为一种新型存算一体器件,由于非易失性和纳米尺寸等特性,非常适合实现神经突触。因此基于忆阻器的神经网络引起了广泛关注。目前基于忆阻器的神经网络研究面临多态模型设计、循环神经网络(RNNs)中的核心模块门控循环单元(GRU)计算复杂等难题,合肥...
2022年4月2日,西安邮电大学电子工程学院2021年系列学术报告会第一期开讲,西安邮电大学电子工程学院青年教师关云鹤博士及李田甜博士分别作题为《异质结隧穿场效应晶体管研究》《硅基集成光电子器件的研究》的学术报告。报告会由学院副院长董军教授主持,来自微电子学系、光电子技术系以及电子信息工程系等教师、研究生参加报告会。
北京信息科技大学通信工程专业始建于1985年,是北京市品牌、特色建设专业,2008年在北京地区进入一本招生,2011年入选教育部“卓越计划”,2016年入选北京市教委“双培计划”,2017年通过了中国工程教育认证(有效期6年),2019年入选北京高校重点建设一流专业(北京地区含央属高校仅100个),2020年入选北京高校优秀本科育人团队(北京地区含央属高校仅80个)。拥有国家级工程实践教育中心1个...
2022年12月5日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组(508组)吴忠帅研究员团队与单细胞分析研究组(1820组)陆瑶研究员团队,以及中国科学院深圳理工大学、中国科学院金属研究所成会明院士等合作,开发了高精度的光刻、自动喷涂和3D打印技术,研制出具有高系统性能和高集成度的小型单片集成微型超级电容器。
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,受到静电场屏蔽效应减弱,利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在单位面积内...

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