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中国科学院合肥物质科学研究院专利:静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
于红兵,男,副教授,硕士学位。发表论文九篇,专著1本,发明专利2项。主持省级科研项目1项。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
唐涛,男,教授,IEEE Member,生于1982年,中共党员,工学博士学位。2011年毕业于西南交通大学电磁场与微波技术专业,2013年和2017年分别在电子科技大学电子科学与技术、信息与通信工程博士后流动站从事博士后研究,2017年7月澳大利亚Moash University和La?Trobe University培训,2019年5月至2020年5月加拿大Waterloo Universit...
中国科学院深圳先进技术研究院专利:制备微米级分散体的集成芯片及其装置
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法,该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数;确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件;获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度;提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声;获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率;基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程;基于Arrhenius方...
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法,该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同,总剂量辐射损伤特性不同,进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态,计算晶体管总剂量辐射损伤,实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:集成芯片及其装置;以及制备微米级分散体的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院专利:基于人体信道的通信芯片
钟高余,复旦大学材料科学系副教授,研究方向:有机半导体材料与器件物理;二次离子质谱。

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