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中国科学院微电子研究所专利：一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种全碳石墨烯器件及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 全碳 石墨烯器件
2023/6/14
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种全碳石墨烯器件及其制备方法
二维 (2D) 材料，特别是石墨烯和氮化物的异质集成，为半导体器件提供了新的机遇，在制备柔性可穿戴设备，以及可转移电子和光子器件领域有广泛的应用前景。由于石墨烯表面自由能低，氮化物在石墨烯表面不易成核，采用等离子体预处理或者生长缓冲层的方法难以获得高质量的单晶氮化物。最近，一种新的外延技术——远程外延有望解决这一难题。该技术是利用石墨烯的“晶格透明性”，衬底和外延层产生远程的静电相互作用，通过这种...