搜索结果: 16-30 共查到“电子技术 CMOS”相关记录67条 . 查询时间(0.099 秒)
吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计
吉尔伯特型混频器 零中频 CMOS工艺 设计
2014/1/9
利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术，应用CMOS工艺，利用Candence设计了一款1.8 V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示，混频器在1 MHz，100 kHz，10 kHz处的单边带噪声系数为6.109，6.71，10.631 dB，频率转换的增益为11.389 dB，输入的3阶交调点为4.539 dBm.
介绍了一种新型的I-V 特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device, NRT), 该器件使用上华0.5 μm 标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor, CMOS)工艺制造. 为节省器件数目, 此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型, 而是将一个金属氧化物半导体场效应晶...
IDT 推出全球精度最高的全硅CMOS振荡器 （图）
IDT 全球 全硅 振荡器
2011/10/31
IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。
该文基于65 nm CMOS低漏电工艺，设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200 kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register，SAR) A/D转换器(Analog-to-Digital Converter，ADC) IP核。在D/A转换电路的设计上，采用“7MSB (Most-Significant-Bit) + 3LSB (Least-Si...
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal鄄oxide鄄semiconductor) OPAMP(operational amplifier),对PMOST(P鄄type metal鄄oxide鄄semiconductor transistor)输入标准6H鄄SiC CMOS 两级运算放大器的高温 等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice 仿真. 仿真...
CMOS-MEMS体硅陀螺的系统仿真
陀螺电学模型 CMOS-MEMS体硅陀螺 工艺误差 系统仿真
2014/5/14
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径，但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。本文通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型，实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真，陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析，从而能够了解它们相互之间的影响，更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。
一种适用于IEEE802.15.4协议的全集成CMOS复数滤波器
复数滤波器 OTA 频率调谐
2011/5/18
复数滤波器是低中频结构接收机中的一个重要模块，起到镜像抑制的作用。该文针对IEEE802.15.4的低功耗要求，提出了一种可以灵活配置共模反馈模块的伪差分结构OTA，该OTA具有内部共模前馈和共模检测功能，适用于级联应用。基于该OTA结构实现了一个3阶巴特沃斯Gm-C复数滤波器，中心频率在1 MHz，带宽1.3 MHz，带内群延时波动小于0.16 μs，镜像抑制能力满足IEEE802.15.4协议...
载流子色散型硅基CMOS光子器件
集成光学 硅基 载流子色散效应
2009/10/22
为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化，介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点，并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果，光调制器消光比约18 dB，1×2光开关消光比约21 dB，谐振环的消光比8～12 dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件，将能使集成...
基于传输函数理论的多值多变量CMOS电路综合
传输函数理论 多值逻辑 多值CMOS电路
2009/10/20
本文讨论了基于传输函数理论的多值CMOS电路综合技术。通过对基于传输函数理论的CMOS电路与T门的分析比较,指出了它们的工作原理的一致性。在此基础上提出了用函数分解综合多值多变量CMOS电路的方法。
基于开关信号理论的三值电流型CMOS电路设计
开关信号理论 传输电流开关理论 多值逻辑
2009/9/23
本文应用开关信号理论对电流型CMOS电路中MOS传输开关管与电流信号之间的相互作用进行了分析,并提出了适用于电流型CMOS电路的传输电流开关理论。应用该理论设计的三值全加器等电路具有简单的电路结构和正确的逻辑功能,从而证明了该理论在指导电流型CMOS电路在开关级逻辑设计中的有效性。
描述了一个高速并行(FlashADC)模数转换器的仿真分析与设计.该模数转换器运用反相器阈值电压量化技术(Threshold Inverter Quantization,TIQ)进行设计,使得使用普通CMOS数字工艺也可获得很高的采样速度.在文中,一个使用TSMC0.25μm工艺的8位TIQCMOS并行模数转换器被设计出来并加以仿真分析.该模数转换器采样速度可达600MS/s,工作电压为2.5V时...
电流型多值CMOS电路的化简
CMOS电路 多值逻辑 四值电路
2009/9/1
本文提出了电流型多值CMOS电路的化简方法,该方法的关键在于寻找适合于电流型多值CMOS电路实现的覆盖。设计实例表明,本文提出的设计优于G。W。Dueck等人(1987)的设计。
双端置数技术与高值CMOS触发器设计
多值逻辑 CMOS 触发器
2009/9/1
在分析以往高值触发器困难的基础上本文提出了双端予置的逻辑设计方案。应用传输函数理论对四值CMOS触发器进行了电路设计。结果表明,与存贮相同信息量的二个二值触发器相比,它有较简单的结构与较快的工作速度。
低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化
低噪声放大器 低功耗 射频电路
2009/8/5
分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术：实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足，提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。
A new CMOS Differential OTRA Design for the Low Voltage Power Supplies in the Sub-Micron Technologies
OTRA transimpedance amplifier low voltage power supply
2009/7/28
In this study, a new CMOS differential OTRA topology is proposed. This topology can operate with a very low voltage power supply as \pm 0.6V. In this design, CMOS 0.13 m m STMicroelectronics technolog...