搜索结果: 106-120 共查到“电子科学与技术 效应”相关记录251条 . 查询时间(0.802 秒)
利用机械效应探测单个磁性分子的性质
机械效应 磁性分子 性质
2011/11/10
康奈尔大学的Daniel Ralph 及其同事证明，机械效应可用于探测单个磁性分子的性质。而目前普遍是通过测量单分子在温度、外加电压或光场下的反应来了解其行为。研究人员将单个磁性分子Co(tpy-SH)2 放置在以硅为衬底的金电极上，通过弯曲基板，增加电极之间的距离，改变分子的形状和对称性，使其电磁性质发生变化。
减小SC滤波器中GB效应的新结构
滤性器 SC滤波器 GB效应
2010/5/5
本文讨论了在开关电容(SC)滤波器中如何减少增益带宽积(GB)效应的问题,提出了一个减少GB效应的新的双二次拓扑结构,此结构对寄生电容不敏感,并且具有很低的无源W0,Q灵敏度。以低通SC滤波器为例,给出了减小GB效应的具体设计方法。并用设计实例和实验结果证明了所得结论的正确性。
基于表面等离子体效应的MEMS红外辐射源特性研究
表面等离子体效应 MEMS红外辐射源 光子晶体
2014/5/12
研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振Surface plasmon resonance（SPR）效应的红外辐射源，该辐射源基本结构为Si-SiO2（650nm）-Cr（100nm）-Au（800nm），并在Au表面刻蚀5m的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构，包括三种不同的圆孔间距即晶格常数：6m, 7m, 和8᠊...
JFET压磁电效应的理论分析
JFET压阻效应 压磁电效应 松弛方法 有限差分法
2010/5/6
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的压磁电效应。利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同栅电压、漏电压以及n沟道硅器件不同宽长比的压力灵敏度和磁灵敏度。在P≠0,B=0,器件宽长比为W/L=1/2-1时,电流性压力灵敏度约为:2.5％·cm2/N。据此,提出了一种有良好工作稳定性及噪声性能的力学量敏感器件——结型场效应力敏管(Junction field effect-pressu...
在Go/NoGo实验范式下用事件相关电位研究反应抑制脑机制时，传统的研究结果显示在大脑前额区NoGo任务下的N2、P3成份分别相对于Go任务有负向、正向的偏移，即NoGo-N2效应和NoGo-P3效应。由于在Go任务中行为反应引发了运动相关成份的叠加效果，可能导致真实的NoGo-N2、P3效应被掩盖。为了恢复真实NoGo-N2、P3效应，采用刺激、反应成份分解算法消除Go条件下运动相关成份的影响。...
针对返回抑制(IOR)脑电研究中线索和靶的交互影响，提出了利用低分辨率源定位算法对外源线索所诱发的源进行定位。结果显示相关神经活动可分为3个阶段：早阶段主要在前额叶皮层、顶内皮层和对侧枕颞皮层；中阶段在额叶皮层和顶部皮层；晚阶段在同侧顶枕部皮层。上述结果表明，IOR的产生与两个神经网络有关，并支持IOR与注意和动作反应抑制都相关。
推导了具有对流效应的化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)润滑模型,研究各参数对压力场分布的影响. 在此模型基础上，研究了磁流体抛光液在外界磁场作用下的润滑模型, 以及外磁场对抛光过程中压力场分布的影响. 数值结果表明, 具有对流效应的润滑模型的压力分布与已有经验结果更一致，能更为有效地解释CMP过程中 的负压现象; 进一步通过外界磁场的作用, 可以有...
中国科学技术大学发现源于纳米天线效应的新电光现象
纳米天线效应 新电光现象
2010/2/1
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室单分子物理化学研究团队的科研人员最近发现，当无线电通信天线尖端尺寸减少到纳米量级，并非常接近另一金属表面而形成一个纳米腔室时，就可以利用局域等离激元共振模式的调控来对腔内荧光体的发光特性进行有效控制，在光频区实现新奇的电光效应：电致热荧光、上转换发光和“彩色”频谱调控。这一研究成果发表在今年1月出版的国际学术期刊《自然—光子学》上，同时“自然中国”网站以...
五邑大学低频电子线路课件第4章 场效应管及其放大电路
五邑大学 低频电子线路 课件 第4章 场效应管及其放大电路
2009/12/30
五邑大学低频电子线路课件第4章 场效应管及其放大电路。
考虑热电耦合效应的全芯片温度特性优化方法
延时 功耗 缓冲器插入
2009/12/9
针对全局互连延时已成为制约电路性能的关键因素问题，提出了一种全芯片温度特性优化方法，使功耗和温度间的反馈在功耗模型与HotSpot软件结合运算数次后收敛，根据收敛结果确定优化方向．该方法同时考虑了延时、功耗和温度三者间的热电耦合效应．采用该方法对 90nm工艺的AMD Athlon 64 处理器进行仿真验证，结果表明，采用这种方法优化得到的芯片功耗和温度均有显著下降，芯片温度梯度也明显改善，芯片温...
分析了微波混沌腔体系统中关键部位感应电压的统计问题，介绍了随机耦合模型在高功率微波效应研究中的计算方法和应用，并以计算机机箱为实验系统，开展了电磁波耦合入计算机机箱腔体的电磁干扰问题研究，对其电路板上关键部位感应电压的统计计算和实验结果进行了比较，其结果基本一致。随机耦合模型在波混沌系统中感应电压的统计探讨为高功率微波效应、电磁兼容等研究提供了一种新的思路。
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
脉冲功率 高电压 半导体开关 Marx发生器 金属氧化物半导体场效应管
2010/4/7
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比，用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）替代气体火花隙开关，用二极管替代电阻，由于可重复频率运行，所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同，在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节，以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外，实验对开关进行光纤隔离，而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器，这不仅有利于保...
西南交通大学模拟电子技术基础课件第04章 场效应管放大电路。
四室成功研制实现石墨烯场效应晶体管（图）
石墨烯场效应 晶体管
2009/12/18
中科院微电子所微波器件与电路研究室（四室）针对国际前沿热点石墨烯（graphene）材料及器件开展了创新性研究，在吴德馨院士和刘新宇主任的大力支持下，金智研究员领导课题组对石墨烯材料和器件工艺展开深入研究，近日成功研制实现了首只石墨烯场效应晶体管（GFET）。
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,ID