搜索结果: 91-105 共查到“知识库 半导体器件与技术”相关记录196条 . 查询时间(2.609 秒)
美国国家半导体推出业内最低输入偏置电流高精度放大器（图）
最低输入偏置电流 高精度 放大器
2009/8/4
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号：NSM)宣布推出一款偏置电流低于所有竞争产品的高精度放大器。这款型号为LMP7721的芯片无论在室温之下还是在摄氏-40度至125 度的广阔温度范围内，其输入偏置电流保证只有20fA，因此可大幅提高光电二极管及高阻抗传感器的系统灵敏度及准确度。换言之，这款放大器可大幅提高便携式...
赛普拉斯推出FleXO时钟发生器
赛普拉斯 FleXO 时钟发生器
2009/8/4
赛普拉斯(Cypress)近日推出了可编程高性能时钟发生器 FleXO 系列产品。上述新型时钟产品在 12 kHz 到 20 MHz 的频率范围内实现了最低为 0.6 ps 的超低相位抖动，大大超出了 10 千兆以太网、10 千兆光纤通道、PCI Express 和串行高级技术附件 (SATA) 等高速串行接口标准的严格要求。上述灵活的时钟产品还能在工厂或部署现场实现 650 MHz 以下任意频率...
椭圆缺陷轮廓的成品率估计
椭圆缺陷模型 关键面积 成品率模型
2009/5/31
现有成品率及关键面积估计模型中，假定缺陷轮廓为圆，而70%的实际缺陷轮廓接近于椭圆．提出了椭圆缺陷轮廓的成品率模型，该模型与圆模型相比更具有一般性，而圆模型轮廓的成品率模型仅为新模型的特例．比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失，表明新模型在成品率估计方面更加精确．
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
泄漏电流 阈值电压 接触电阻
2009/5/27
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
一种新型两通道时间交织高阶ΣΔ调制器
折叠噪声 时间交织 块数字滤波器
2009/5/25
为了减小两通道时间交织ΣΔ调制器中系数失配引起的折叠噪声以及降低调制器实现电路的复杂程度，提出了一种新的两通道时间交织高阶ΣΔ调制器．在传统调制器的噪声传递函数(NTF)中增加一个z为-1的零点，减小了NTF在高频处的幅值，从而减小了折叠到信号带宽内的噪声．以一个传统单通道单环4阶4位前馈分布型ΣΔ调制器结构为原型，运用块数字滤波器基本原理以及时域等效的方法，得到了其两通道时间交织结构的实现电路．...
薄栅SiO2击穿特性的实验分析和机理研究
薄栅氧化层 衬底热空穴 经时击穿
2009/5/8
该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。
受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究
槽栅PMOSFET 界面态密度 阈值电压
2009/4/23
界面态引起的器件特性的退化是深亚微米器件失效的一个重要因素。本文基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退比进行了分析。研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件,且P型受主型界面态密度对器件特性的影响也远大于N型界面态。沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化不同。
新型CMOS JK触发器
CMOS JK触发器 开关级设计
2009/4/17
该文以双反相器闩锁电路为基本存贮单元,采用开关级设计方法设计出一种新型的CMOS JK触发器。与传统设计相比,新设计具有较简单的结构、较少的元件以及较快的工作速度。
1-1.5微米器件设计技术研究
电路设计 集成电路 大规模
2009/3/5
主要成果内容包括：1.成功设计了高性能256k SRAM电路，采用了冗余设计技术，设计了32个冗余列。2.成功设计了可用于小批量大生产的1Mb MASK ROM电路。3.成功开发了4万门门海母片，建立了相应的数据库。形成了较完整的1.2微米LSI电路的CAD环境。4.掌握了1微米高速电路全定制和半定制设计技术，完成了不同品种的13个ASIC(设计规则1.0-1.5微米)电路设计，已具备了设计20万...