搜索结果: 61-75 共查到“知识库 半导体器件与技术”相关记录196条 . 查询时间(3.062 秒)
外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
砷化镓 光导开关 闭合时间
2010/2/21
通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异，分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响。实验开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成，电极间隙为12 mm。使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验。使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形。实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响，回路电感影...
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
亚微米LDD器件 模拟 可靠性
2009/9/1
针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析
二氟化硼 硅栅 离子注入
2009/9/1
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×1015和5×1015cm-2 BF2+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究
双极晶体管 多晶硅发射极 截止频率
2009/9/1
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。
X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用
X荧光光谱 镍电极 溅射工艺
2010/2/23
本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺，形成的工艺流程短、效率高，方便获得更好的欧姆接触。
The objective is to fabricate organic light emitting
diode and to study its degradation process in atmosphere condition in
which PFO as an emitting material and PEDOT:PSS as a hole
injecting materi...
一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关
热光开关 多模干涉耦合器 SOI
2009/8/13
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其...
全高清CABAC解码器的设计与实现
H.264标准 CABAC解码器 高档次 硬件加速器
2009/8/5
提出一种针对H.264标准的CABAC解码器的硬件加速器的设计方案。通过采用高效的状态机和良好的SRAM组织结构，使平均解码速率达每周期1 bit，可以解码基于高档次的H.264码流，实现对高清码流(1 920×1 088)的实时解码，在中芯国际0.18 μm工艺标准单元库的基础上进行综合，面积占47 444门，工作时钟频率达196 MHz。
低功耗芯片间串行媒体总线SLIMbus
低功耗芯片 串行媒体总线 SLIMbus
2009/8/5
低功耗芯片间串行媒体总线SLIMbusTM是基带或移动终端应用处理器与外设部件间的标准接口。SLIMbus规范是MIPI联盟成员共同开发的。MIPI是一个移动工业巨头联盟组织，旨在定义移动应用处理器接口开放标准或提升其现有标准。根据这些开放标准，通过为移动应用处理器的标准硬件和软件接口建立规范，并且鼓励整个业界采用这些标准。MIPI联盟致力于为移动用户加速开发新的服务，在微处理器、外设和软件接口方...
介绍了基于Virtex系列FPGA和TMS320C40DSP的可编程通用信号处理背板的设计和制作；并对Virtex系列FPGA的性能和特点进行了分析；同时还叙述了可编程通用信号处理背板的调试；最后给出了背板应用开发实例。
龙芯CQ8401SoC
龙芯 CQ8401SoC
2009/8/4
CQ8401 SoC是重庆神州龙芯科技有限公司推出的首款系统级芯片，采用0.18μm工艺，主频400MHz，功耗最大200mW,高度集成，扩展性强，性价比高，能广泛应用于消费类电子、工业控制、网络安全、数字视听、仪器仪表、通讯电子等领域。
嵌入式单总线控制器设计
单总线 DS1820 VHDL
2009/8/4
以数字式温度传感器DS1820为例，介绍了单总线器件的工作原理，详细分析了单总线器件的通信时序。微处理器与单总线器件通信时必须关闭中断，造成系统实时性差。对此提出了采用VHDL语言设计嵌入式单总线控制器的方法。给出了基于VHDL的嵌入式单总线控制器的软硬件设计及仿真波形。该控制器的功能已在MAX+plusII平台上仿真实现，能够产生DS1820的通信时序。
LMH6552芯片是业界最高带宽(1.5GHz)及最低功耗(112.5mW)的电流反馈差分放大器。LMH6515芯片则是一款数字控制可变增益放大器，若输入频率为70MHz，这款芯片的噪声低至只有8dB，而输出三阶交调截取点(OIP3)可达40dBm，最适用于WCDMA、GSM及WiMAX的接收器信号路径，而且功耗比竞争产品小20%。LMH6555放大器适用于8位的3GSPS数据采集系统，功耗比同类...
