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搜索结果: 151-165 共查到知识库 半导体器件与技术相关记录196条 . 查询时间(6.703 秒)
该光开关的开关速度可以达到ns级,是光纤通讯中的重要器件。它基于SOA的全光开关可以应用于波长切换,波长适配,光定时的提取,光码流再生,光RZ码与NRZ码的转换等方面,也可以用来组建光交叉连接的光交换矩阵,控制交叉连接的全光逻辑门以及选择波长路由时所需的波长交换元件等。
为了开发高速高精度焊头机构,确保全自动LED键合机的整机性能,在完成运动方案和结构参数设计后,研究了运用Pro/Engineer运动仿真模块Mechanism/Pro对整个焊头机构进行运动建模的技术与方法,包括机构模型创建、驱动控制等,进行了机构运动仿真;并对仿真结果进行了分析,验证了所设计的焊头机构的可行性和合理性。成功地将设计出的焊头机构应用到整机设备开发,满足了整机功能和性能的要求。该设备已...
太阳能是新能源开发利用最活跃的领域。目前市场上的太阳能电池主要是晶体硅和非晶体硅两种。这两种太阳能电池均不理想,前者的成本太高,而后者则面临寿命短、效率低的致命弱点。90年代才出现的纳米Ti0_2有机半导体复合太阳能电池则有可能成为21世纪人类利用太阳能的重要工具。1991年,Michael Gratzel等人提出了一种新型的以染料敏化二氧化钛纳米薄膜为光阳极的光伏电池,1997年该电池的光电转换...
温度的测量极为普遍,如体温的测量使用极广,传统的玻璃棒式体温计价格低廉,但读数不便,容易破损,不能自动记录及与计算机接口等。该数字式半导体温度计采用针式传感器(直径约1毫米,长约100毫米),也可配其它外形的传感器。液晶数字显示屏读数方便,数显稳定可靠,分辨率0.2℃,该机电源采用交直流两用可充电电源,使用极为方便,可配接送微机记录分析用的接口。
该产品采用380~420mm的紫光LED芯片激发荧光粉制成白光,柔性电路板采用的贴片封装技术,实现产品的小型化高亮度。该产品光强超过700mcd,超过合同指标320mcd,最小体积0.3mm,产品基板厚度达到0.05mm,而日亚公司产品的基板厚度为0.1mm。在产品厚度与日亚相同时,塑封的环氧体高,产品聚光效果好,产品的光强高。该项目的主要创新点有,采用380~420mm的紫外线半导体芯片作为白光...
本项目为以半导体微机械加工为技术基础的发展促进了传感器与执行器微型化。设计并制备了多晶硅热执行器,通过引入结构力学的力法建立了该执行器的设计理论;提出了GaAs电阻的压电调制效应;对不同衬底取向,不同电阻条取向等进行了分析,建立了较为完整的设计理论;为使GaAs材料能在传感器中应用, 提出了用氢等离子体处理GaAs表面,实现了GaAs/玻璃的键合;建立了解析理论;从理论与实验上指出了不同栅取向阈值...
DQ-Ⅱ型天然气监控器每套系统配四路传感器,每路传感器都用双层防爆探头和三防线安装。具有开机延时电路,每个或非门电路均连接两个探头,提高了整机的可靠性,使保险系数大为增加。传感器加热采用恒流源供电,有利于保证探头工作的稳定提高了整机的稳定性,由于增设传感器加热丝指示电路,可及时发现加热丝的损坏情况,以便及时更换传感探头。该控制器性能稳定,可靠,达到了用户提出的技术要求,产品达到国内领先水平。
This paper presents a novel CMOS four-transistor SRAM cell for very high density and low power embedded SRAM applications as well as for stand-alone SRAM applications. This cell retains its data wi...
该项目是公司根据市场需要和所拥有的技术实力,进行深入研发,并扩大规模生产包括大功率高亮度半导体发光器件、FPC(柔性印制电路板)、一体化红外遥控接发器等在内的多种特种半导体光电器件产品。项目产品适应电子信息产品小型化、大功率化和组装自主化的需要,在移动通讯、便携式电脑、PDA、显示器等产品上具有广阔的市场空间,同时可为绿色照明、节能型光源提供器件。公司在实施该项目不但具备技术、人才、管理等软件方...
该发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来;在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽;离子注入;高温退火;填充沟槽,CMP抛光,腐蚀SI#-[3]N#-[4]掩模等。该发明的方法消除了常规图形化SOI...
通过对CMOS高压智能集成电路设计和工艺技术相关内容的研究,成功的开发出我国自己的高压功率集成工艺技术,并在上海贝岭公司建立了国内第一条660V高压功率IC生产线。在此基础上,制造出国内第一块耐压达660V、大功率(50瓦)、高低压兼容、数模混合CMOS工艺实现的PWM(脉宽调制)开关电源芯片。其主要技术指标均达到设计要求,除耐压尚有40V差距外;技术水平达到国内领先水平。与上海贝岭合作开发的高...
这种用于半导体激光器的温控仪的结构为:预置温度电位器通过放大器和调零电位器及温度感应电路通过第一差分放大器与第二差分放大器相连,第二差分放大器经过正反向跟随放大器和含有两只场效应管的电流放大控制电路连接到第三差分放大器和反馈电路,第三差分放大器通过电流控制电路连接到致冷器。由于反馈电路的反馈电流由电流控制电路提供,因而具有致冷速度快,稳定可靠的优点。
本发明研发了制备锑化镓基半导体器件用的新化学腐蚀液,它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种体系。盐酸系腐蚀液组成为盐酸、酒石酸和水;氢氟酸系腐蚀液组成为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液组成为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液具有不破坏光刻胶掩膜,腐蚀速率适中可控(小于1μm/min),与器件工艺兼容等特点,能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系Ⅲ-Ⅴ族锑化物...
用Sol-gel方法合成的多元纳米氧化锌压敏陶瓷粉体材料,突破了纳米单体粉的易团聚、难以分散均匀的缺点,实现了多元纳米电压敏陶瓷粉体材料的人工合成,和多元纳米粉体材料粒径的人为控制。该成果适用于纳米级敏感电子陶瓷粉体材料的制备和其它相关纳米粉体材料的制备。用多元纳米电压敏陶瓷粉体和半导体芯片工艺研制的微型压敏电阻芯片技术,突破了关键技术难点,实现了微型压敏电阻芯片的批量生产。该成果适用于能承受较小...
首先分析了电荷耦合器件(CCD)的工作特点和电荷的产生、存储、传输及输出的特征,然后,根据光电理论和探测器的工作原理,由电荷耦合器件的探测器面阵列图推导出一种军用电荷耦合器件(CCD)摄像机的探测器面阵调制传递函数,最后得到了一定入射条件下探测器元的输出电子数目,这一结果对从理论上分析这种光电结构的性能具有参考意义.

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