搜索结果: 136-150 共查到“知识库 半导体器件与技术”相关记录199条 . 查询时间(3.75 秒)
研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器. 它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP (1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成. 采用半矢量三维束传播（BPM）方法以及中心差分格式，模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率，从而得到了最优耦合条件. 对于TE偏振和TM偏振模，计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%. 同时，计算表明，此类基于稀释波导...
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器. 该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式，实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出. 通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法，大大降低了调试难度，更重要的是，克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制，在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善. 该方法为微波、毫米波压控振荡器的...
结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
结型场效应 晶体管 霍耳效应 理论分析
2008/10/9
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势分布与磁灵敏度. 结果表明:当器件宽长比(w/L)(?)1—2时,典型的电压性磁灵敏度为～10mV/V·kG,电流性磁灵敏度为 10~2-10~3mV/mA·kG.据此,提出了一种灵敏度高、有良好工作稳定性及噪声性能的霍耳器件——结型场...
高破坏阈值半导体可饱和吸收镜
激光器 高破坏阈值 半导体可饱和吸收器
2008/10/6
该项目旨在研制高破坏阈值的半导体可饱和吸收镜。半导体的双时间饱和吸收特性是产生非线性调制进而在激光器腔内产生超短脉冲的可靠机制。调节半导体量子阱生长温度，以及调节量子阱的厚度和位置，可以有效控制半导体的时间特性和调制深度。通过蒸镀高破坏阈值介质膜，可以有效调节调制深度、饱和通量和破坏阈值。如果将这种半导体可饱和吸收镜应用在半导体泵浦的锁模激光器上，将大大提高此类激光器的功率和稳定性，使得这种激光器...
半导体光放大器(SOA)利用半导体有源材料，采用电流注入泵浦实现光放大，具有功耗小、体积小、易集成、用途广泛等独特优点，适合于任何半导体激光波长和全波段光通信网络系统，规模生产成本低廉，可用作1310nm、1550nm和1680nm的各波段的光放大器、高速全光光开关、全光波长转换器、全光色散补偿器、全光3R器件、多波长光源，还可用于光交换路由器以及光纤用户接入网和光纤CATV网络之中。 本项目在半...
一种新颖的无显影光刻技术
无显影 光刻技术
2008/10/6
光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和大规模集成的方向发展,要求器件的尺寸越来越小.
有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术
有机半导体 薄膜晶体管材料 器件技术
2008/9/27
国科学院长春应用化学研究所闫东航研究员承担“有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术”项目。经过三年的努力研究，在高迁移率有机半导体材料方面，实现了通过两种或两种以上有机共轭分子的层状复合、共晶的物理途径制备高迁移率有机半导体薄膜的新方法，并发展出系列迁移率能够提高一个数量级、综合性能达到非晶硅水平的有机半导体薄膜和能够降低接触电阻的晶体管器件，被美国贝尔实验室发表的进展综述作为六个子题目之一(Redu...
半导体激光器光纤模块耦合
半导体激光器 光纤器件 光纤耦合模块
2008/9/26
系统地研究了光纤制造工艺及光纤性能，攻克了MCVD工艺电高温快速沉积、预制棒炸裂、超大芯径片、光纤强度等难题。研制成功了大功率半导体激光器耦合及传输专用光纤系列。该光纤具有耦合率高、芯径比大、损耗低、强度高、光纤耦合头易于处理及成型，主要技术性能指标达到国外同期产品水平，填补了国内空白。
所研制的半导体力敏变换器在国内首次在变换器内部采用电子线路进行信号放大，温度灵敏度、蠕变、非线性补偿，在0-40℃范围内满量程输出5V，系统精度<±0.50%FS，蠕变<±0.50%FS，滞后<±0.20%FS，非线性<±0.20%FS，灵敏度温度系数<±0.3%/c，且输出标准化，适合于工业、国防、科研、教学等方面应用。该成果具有独创性，蠕变补偿国内外均末见报道。
一种平面型GaAs场效应晶体管
平面型 GaAs场效应 晶体管
2008/9/24
本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.
半导体可饱和吸收镜作为被动调Q吸收体的发展状况
半导体可饱和吸收镜 固体激光器 调Q用吸收体
2008/9/24
简介了近年来发展起来的若干种新型固体激光器被动调Q用吸收体：掺Cr4+系列，Cr，Nd∶YAG自调Q激光晶体，人眼安全激光器被动调Q用吸收体，GaAs吸收体，半导体可饱和吸收镜。着重介绍了固体激光器和光纤激光器调Q用半导体可饱和吸收镜的原理、研制方法及应用状况。
半导体玻璃微通道板的研制
微通道板 半导体玻璃 电子倍增管
2008/9/23
介绍了半导体玻璃微通道板的主要性能，并与传统铅硅酸盐玻璃的相关性能进行了比较。阐述了半导体玻璃的研制工艺，研究了利用半导体玻璃材料制备微通道板的工艺途径，开发了靠玻璃本身体电导性质而无需氢还原工艺的微通道板，即半导体玻璃微通道板。研制出孔径为20μm、外径为12mm的半导体玻璃微通道板，实验利用紫外光电法测试了微通道板的增益、闪烁噪声和成像性能。结果表明新型微通道板具有明显的电子增益和低的闪烁噪声...
用简并双模腔测量微波霍耳迁移率
简并双模腔 微波 霍耳迁移率
2008/9/23
本文描述用微波技术无接触测量半导体霍耳系数的方法.利用简并双模圆柱腔(TE_(112)模),把样品置于电场极大处并加一直流磁场,可以很容易观察法拉第旋转效应并加以测量.利用腔的等效电路和微扰理论进行了理论分析,确立了腔的散射参量与样品的导电张量之间关系.随之霍耳迁移率以腔的传输系数、负载和未负载反射系数来表示.无样品时两模的谐振频率及未负载Q的差别也加以了考虑.实验结果表明与直流参数的一致性,因而...
半导体压阻式压力传感器及变送器
半导体压阻式 变送器 压力传感器 压电半导体陶瓷
2008/9/19
该产品采用半导体技术，微机械加工技术，激光加工技术，通讯技术等，是自动化控制中压力参数测量的一个重要检测元件，该产品广泛应用于航空、航天、汽车、水电、环境、医疗、科研领域等。