搜索结果: 91-105 共查到“知识库 半导体材料”相关记录124条 . 查询时间(2.547 秒)
纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、技术的研发
激光器 纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
2008/9/3
在对当前1.3m波段激光器的材料体系进行深入调研分析的基础上选定InAsP/InGaAsP这一无铝的材料体系作为我们的主要研究对象，并针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工艺，在对激光器所需的多种InP基单元材料的生长特性进行细致研究的基础上生长出了性能较高的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料。针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工...
耦合半导体纳米材料的非线性光学特性
纳米材料 非线性光学特性 耦合半导体材料
2008/9/3
纳米科学技术、信息技术和生命科学技术是21世纪的主流技术，而其中纳米科学技术又是信息技术、生命科学技术持续发展的基础。由于在半导体介观系统中， 电子或电子--空穴对的运动受到某种程度(一维、二维或三维)的约束，此时量子力学规律起作用；同时，在半导体介观系统中，电子态、元激发以及它们之间的相互作用，表现出与三维均匀体系极不相同的性质，出现了一系列与半导体超晶格材料的尺寸或形状有关的奇异的非线性光学特...
耦合半导体纳米材料的光学性质研究
纳米材料 光电子纳米器件 光学特性 耦合半导体材料
2008/9/3
本成果不仅有助于揭示耦合半导体纳米材料的物理本质，更重要的是对光电子和微电子器件和性能的研究与开发具有指导意义。本成果利用了量子密度算符理论及迭代法来研究耦合半导体纳米材中的非线性光学特性；研究了激子效应和极化子效应对非线性光学特性的影响机制，具有创新性。
新型半导体异质结构、硅基纳米结构材料与光电性质研究
异质结构 半导体 纳米结构
2008/8/29
本项目为半导体异质结构，该研究取得了系列重要的创新成果，如：深入研究了化合物半导体异质结构中二维电子气输运与极化性质；研究了Si纳米异质结构与电荷存储、输运行为；首次提出并实现了两种新型半导体异质结构体系等，基项研究所取得的重要突破和创造性成果，在国际同类工作中处于领先水平，受到同行广泛重视，产生很大的国际影响，对新型化合物半导体异质结构、硅基纳米异质结构材料与光电性质研究作出了重大贡献。
一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
量子点 发光效率 半导体材料
2008/8/29
该发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，特征在于本发明提出的离子注入方法。该发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、技术的研发
激光器 纳米Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
2008/8/27
在对当前1.3m波段激光器的材料体系进行深入调研分析的基础上选定InAsP/InGaAsP这一无铝的材料体系作为我们的主要研究对象，并针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工艺，在对激光器所需的多种InP基单元材料的生长特性进行细致研究的基础上生长出了性能较高的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料。针对激光器所需的应变及应变补偿结构设计了合理的GSMBE生长工...
碲锌镉半导体材料的欧姆电极
欧姆电极 碲锌镉
2008/8/27
一种碲锌镉（CdZnTe）半导体材料的电极，包括CdZnTe材料，金属电极层，电极引线。其特征是电极层是一层复合金属层，由铜-银层和金层组成。由于铜-银层中的铜更容易与CdZnTe形成欧姆接触，银则与CdZnTe之间有较好的附着力。因此，采用铜-银作为与CdZnTe相接触的第一层金属层，使欧姆电极与CdZnTe附着力强，电极大小可控制，重复性好，所测得的I-V曲线具有良好的线性。
用纳米半导体光催化氧化制浆废液制香兰素及表面活性剂的研究
香兰素 制浆废液 表面活性剂
2008/8/22
该项目从制浆废液固化产物木质素为原料，以纳米半导体作催化剂，研究了木质素光催化氧化反应的规律和用此方法从木质素制取香兰素的各种影响因素。研究发现在光催化剂的作用下，木质素分子与各种具有氧化活性的自由基反应，形成一系列的中间产物。中间产物中含量最多的是愈疮木基乙醇，其次是香兰素，此外还有愈疮木基丙酮，愈疮木基乙酸等产物。反应中香兰素的得率随反应时间、催化剂用量、反应温度等因素均有先增加后降低的趋势，...
用于泵浦固体激光器的大功率半导体激光材料及器件实用化研究
激光器 半导体激光器 泵浦激光器阵列 放大器
2008/8/22
该项目主要成果有：研制出高质量808nm大功率半导体激光器材料：波长(808.7±3)nm，阈值电流密度300-400A/cm^2，2英寸材料生长均匀性比较好，具备提供小批量激光器单管所需材料的能力；研制出高质量808nm大功率半导体激光器单管：室温连续工作，波长(808.7±3)nm，1W工作寿命超过3000小时，1.5W工作寿命超过2000小时；研制出高质量808nm大功率半导体激光器阵列：室...
有机半导体蓝光材料及其电致发光器件的稳定性研究
电致发光器件 半导体蓝光材料
2008/8/22
该项目经与国内外有关单位合作，已研制出高荧光效率的梯形对次苯基（LPPP）等多种新型蓝色（或蓝绿色）有机薄膜电致发光材料和高质量的氧化二唑类（PDPyDP等）载流子传输层材料，通过在发光材料中引入功能基团和优化器件结构，将能带结构匹配的聚合物或小分子发光层与载流子传输层合理地组合在同一有机薄膜电致发光器件（OLED）中，并采用将器件进行特殊的热处理后改善有机/金属电极界面状态等方法使器件的量子效率...
准一维半导体纳米线材料研究
半导体纳米线 发光特性 纳米材料
2008/8/22
使用CVD方法制备准一维半导体纳米线，并用扫描电子显微镜和透射电子显微镜等进行表征和分析，研究了其发光特性，场发射特性等。该材料有望应用于光电器件，纳米电子器件及冷阴极场发射中。
高补偿硅半导体材料的研究
硅 高补偿 半导体材料 电流振荡
2008/8/7
该技术在单晶硅中材料中掺杂过渡族Mn、Zn等元素与材料中原有的杂质B或者P形成补偿作用，可获得一种高补偿硅半导体材料，该材料具有在硅材料中掺杂硫原子与原有残存的杂质形成电中性复合体，从而中和晶体内部原有缺陷的电活性，形成电中性分子，优化材料性能。适当掺杂的该材料在直流电路中产生电流自维持振荡，其频率、振幅对光照强度等具有敏感响应，通过改变掺杂元素和浓度可对响应进行控制。适当掺杂的硅材料的电阻率对温...
YBCO半导体薄膜的热辐射及宽光谱响应特性的研究
YBCO半导体薄膜 热辐射 宽光谱响应
2008/6/30
本文就Si为衬底的钇钡铜氧（分子式Y1Ba2Cu3O7>=0.5，简称YBCO）半导体薄膜的热辐射及宽光谱响应特性进行了研究，发现这种半导体探测器响应波段不仅在红外波段，而且在亚毫米波段甚至毫米波段都有良好的响应特性，该薄膜是继VO2薄膜之后用于非制冷红外焦平面的一种新材料。
自组装半导体量子点的电子学性质研究进展
自组装半导体量子点 量子尺寸效应
2008/6/3
自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和库仑阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料。由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点，而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值。本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序，扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展，并对目前存在的问题和发展前景作了分析。