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GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
分子束外延 表面形貌 AFN
2009/5/20
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制。
竖立在晶态金表面上的短单壁碳纳米管
碳纳米管 扫描隧道显微镜针尖 组装技术
2009/5/11
合成和提纯了单壁碳纳米管(SWCNTs),用胶体将其竖直地组装在金薄膜表面上。用此组装技术制造了扫描隧道显微镜(STM)的针尖,成功地观测到了金晶粒的形貌像和高定向石墨的原子像。SWCNTs竖立在金表面上对于电学特性测量,制造场发射电子源,组装纳米电子器件,制作扫描探针显微镜(SPM)针尖等有重要意义。
用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应
非晶硅 电荷放大效应 光电灵敏度法
2009/5/11
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在105V/cm电场下,高达4.3×103。本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增益值计算了电子迁移率与寿命之积。
硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究
硅纳米线 SLS生长机制 升温特性
2009/5/5
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法。与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源.是一种全新的固—液—固(SLS)生长机制。实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2.5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非晶态,直径为10-40 nm,长度可达数十微米,升温特性对硅纳米线...
深亚微米槽栅PMOSFET几何结构参数对抗热载流子特性的影响
深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应
2009/4/23
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的几何结构参数,如:沟道长度、凹槽拐角、凹槽深度和漏源结深导致的负结深对器件抗热载流子特性的影响进行了研究。并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现,在深亚微米和超深亚微米区域,槽栅器件能够很好地抑制热载流子效应,且随着凹槽拐角、负结深的增大,器件的抗热载流子能力增强。这主要是因为这些结构参数影响了电场在...
6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
SiC MOS结构 辐照 平带电压
2009/3/26
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。
Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化
无机非金属材料 半导体材料 原子扩散
2009/3/12
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间...
BP-215紫外正型光刻胶和BN-310紫外负型光刻胶
光刻胶 正型光刻胶 紫外光刻胶 集成电路材料
2009/3/6
成果内容简介：紫外光刻胶是电子工业中大规模集成电路微细加工过程中不可缺少的基础性关键材料，其应用性能的优劣直接影响着电路线宽的粗细和成品率的高低。它又分为紫外正型光刻胶和紫外负型光刻胶。(1)BP-215紫外正型光刻胶：它是指在紫外光照射后经一系列处理后所得图像与掩膜版一样的抗蚀剂，目前电子工业使用的正胶主要是重氮萘醌-酚醛树脂系正胶。BP-215紫外正型光刻胶具有分辨率高、抗干法腐蚀强、耐热性好...
VLSI/ULSI器件薄膜材料和工艺技术
集成电路 半导体材料 薄膜半导体材料
2009/3/3
经济、社会、环境效益及推广应用前景：1、经济效益在现有多晶硅器件制造中应用自对准金属硅化物技术，可使器件技术升级换代，发展高速CMOS器件制造技术，在亚微米器件制造中更需要对准硅化物技术。推广应用该项成果，可以产生可观经济效益，节约技术引进费用。2、社会效益：根据研究结果，专题组成员及合作者已在国内外核心期刊上和国际会议上发表论文40余篇，受到国际上的重视、摘录和引用，由SCI检索查到的近年引用论...
多层复合结构应变硅材料的生长和特性
多层复合结构 应变硅材料 半导体材料
2009/2/24
应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si0.7Ge0.3层/组分渐变Si1-xGex层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数x从O线性增加到0.2.对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4.12 nm和1.2%,材料中的位错密度为4×104cm-2.经受了高热开销过程后,应变...
原子氢辅助分子束外延GaAs（331）A表面形貌演化
原子氢 分子束外延 高指数面
2009/2/8
研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明：在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而在原子氢辅助分子束外延情况下,当GaAs淀积量相同时GaAs外延层台阶的密度增大宽度减小.认为这是由于原子氢的作用导致Ga原子迁移长度的减小.在GaAs(331)A台...
