搜索结果: 61-75 共查到“知识库 电子束、离子束技术”相关记录116条 . 查询时间(3.602 秒)
高压直流连续波光阴极注入器中电子束流发射度研究
光阴极注入器 静电加速器 高平均功率FEL
2009/2/20
高平均功率自由电子激光研究中，电子束质量是关键。针对高平均功率自由电子激光目标参数，提出了直流高压连续波光阴极注入器，给出了注入器的束流动力学过程。为了降低输出束流横向发射度，采用特殊结构设计的静电加速腔，加速电压1MV，最大加速梯度10MV/m。用PARMELA程序进行了粒子动力学模拟，电子束束团电荷为0.5nC，束团长度10ps时，注入器输出束流归一化发射度均方根值为5.8mm·mrad。
光刻及离子束蚀刻技术制作DNA芯片模版
芯片模版 离子束蚀刻 光刻
2009/2/20
采用光刻及离子束蚀刻技术制作面阵石英DNA芯片模版，利用扫描电子显微镜（SEM）和表面轮廓仪测试了所制石英DNA芯片模版的表面微结构形貌特征，分析了所制石英DNA芯片模版出现图形畸变的原因。所用工艺为在其它衬底材料表面制作更大规模及具有复杂结构的大面阵DNA芯片模版奠定了基础。
等电子谱线法测量Mg/Al等离子体电子温度空间分布
电子温度空间分布 Mg/Al等离子体 X射线谱
2009/2/19
在“星光Ⅱ”激光装置上对Mg/Al混合材料埋点靶进行三倍频激光打靶实验，用空间分辨晶体谱仪测量靶材料发射的X光光谱，获取了示踪离子谱线实验数据。采用多组态Dirac-Fock方法计算所需原子参数，并在局域热动平衡条件下建立了双示踪离子谱线强度比随电子温度的变化关系。在此基础上由双示踪元素等电子谱线法确定了Mg/Al混合材料埋点靶激光等离子体电子温度空间分布。
低引导磁场下环形强流电子束产生实验研究
无箔二极管 强流环形电子束 低引导磁场
2009/2/19
针对基于SOS脉冲功率源S-5N的输出特点，利用PIC数值模拟软件，为S-5N设计了能够工作在低引导磁场条件下的无箔二极管系统，并在S-5N脉冲功率源上进行了低引导磁场环形强流电子束产生的实验研究。在引导磁场为0.5 T条件下，无箔二极管电流输出波形近似为梯形波，脉冲上升沿约9 ns，平顶部分约26 ns，二极管电压420 kV，电流2.7 kA，束斑平均半径约16 mm，具有良好的均匀性。
低阻抗强流箍缩电子束二极管的3阶段电子束流模型
低阻抗强流箍缩电子束二极管 顺位流模型 理论分析模式
2009/2/19
在顺位流模型与“4阶段”粒子流动模型的基础上，提出了一种用于分析100ns／MA级电子束流的低阻抗强箍缩二极管物理过程的理论模式。在这种理论分析模式中，将电子和离子的流动情况随时间的演变过程分成非箍缩电子流、弱箍缩电子流、强箍缩电子流3个不同的阶段，分别结合聚焦流和顺位流模型对各个阶段特性进行估算。利用KARAT PIC数值模拟软件并结合“强光一号”加速器的工作状态，对该类型二极管中电子束的流动过...
高通量中性原子氧束流的发生与控制
原子氧束流 高通量 氧等离子体
2009/2/19
采用微波同轴耦合氧气放电产生高密度氧等离子体, 经磁场约束后与一施加负偏压的金属板碰撞复合并反射, 得到通量在1013~1016atom/cm2×s范围可控, 动能约为6-10eV的中性氧原子束流。用双探针技术对生成的氧等离子体进行了诊断测量。根据聚酰亚胺在原子氧作用下的剥蚀率对原子氧束流进行了标定测量。
为提高电子冷却装置中收集器的效率，研究了收集效率与几何参数，电、磁参数的关系，考虑了初级及反射电子的空间电荷作用，模拟计算了初级电子、反射电子在收集器区域的轨迹，由此得到了收集效率随电、磁参数的变化规律。结果表明，在合适的参数设置下，相对电流损失小于，收集效率达到。
高功率离子束在偏压电荷收集器内部的电荷输运模拟
高功率离子束 偏压电荷收集器 电荷输运
2009/2/17
利用2.5维KARAT软件对高功率离子束在偏压电荷收集器内部的电荷输运过程进行PIC数值模拟，模拟结果表明在偏压电荷收集器内部电荷中和而电流不中和。在模拟中考虑了收集器的几何尺寸和离子束密度，因此模拟结果比一维数值计算的结果更为可靠。同时还模拟了偏置电压与电荷收集器离子收集效率之间的关系，对于峰值能量为500keV的高功率离子束，偏压为－800V即可满足测量要求，这一结果与实验吻合较好。
高功率脉冲离子束的产生
高功率脉冲离子束 离子束产生效率
2009/2/17
分析了高功率二极管中的双向流以及提高离子流产生效率的反射三极管、磁绝缘二极管和箍缩二极管工作原理，概述了高功率脉冲离子束研究进展及发展方向。
静电探针测量强流电子束电离气体产生的等离子体密度
强流相对论电子束 等离子体密度 静电探针
2009/2/16
用电离理论和核物理学中讨论电子束通过介质后的能量损耗方法分别估算了强流电子束电离中性气体产生的等离子体的密度。在实验中将静电探针应用于测量强流电子束电离氮气产生的等离子体的密度，得出等离子体密度随气压变化的曲线。实验结果表明在1～15帕气压范围内，等离子体密度在量级，与理论结果相符，证明静电探针用于诊断强流相对论电子束电离中性气体产生的等离子体的密度是可行的。
利用渡越辐射研究超热电子束的传输特性
渡越辐射 超热电子束 传输特性
2009/2/16
为了探索超热电子束的传输特性，利用光学CCD相机在靶背法线方向测量了光学渡越辐射积分成像图案。实验在100 TW掺钛蓝宝石激光器上进行，飞秒激光与固体靶作用后，靶表面发光信号由空间分辨装置聚焦成像并引到CCD狭缝上。在厚度为20 μm的Ta靶背表面观测到渡越辐射光斑呈现较平滑的圆形结构，而且中心亮度高于周围，这包含了非相干与相干渡越辐射的成分，与理论模拟结果接近；在厚度为100 μm的Ta靶背表面...
螺线管场下强流相对论电子束焦斑尺寸的限制
螺线管场 偏心 焦斑
2009/2/16
分析了螺线管场下影响强流相对论电子束聚焦的主要因素，并给出了各影响因素所限制的最小焦斑。计算结果表明，当发射度和能散度的值分别控制在0.397mm× rad和1%以内, 单个螺线管磁轴的偏心不大于0.54mrad，初始注入束偏心不大于1mrad时，对于20MeV、3kA的电子束和15MeV、2.5kA的电子束，最终打靶束焦斑均可小于1.5mm。
螺旋波激发氢等离子体光谱诊断
等离子体诊断 Balmer系 Fulcher带
2009/2/16
利用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)技术,以氢气为反应气体产生等离子体。通过采集氢的可见到紫外发射光谱，对等离子体进行了原位诊断，由氢Balmer系分析得到了不同实验参数对激发态氢原子相对密度的影响，通过对Fulcher带的分析，得到实验参数对氢振动温度的影响。结果表明：低压氢等离子体状态可借用日冕模型来诊断；激发态氢原子密度随入射功率增加而增加，随压强增加而减少，氢分子振动温度随压强...
脉冲电流探头的时域标定研究
脉冲电流 电流探头 时域标定
2009/2/16
介绍了一种Rogowski线圈脉冲电流探头时域标定和标定数据处理的方法，将脉冲法时域标定的结果和频域标定结果进行了比较。针对电流探头的低频失真，采用系统辨识方法建立了测量系统的动态模型，并对探头输出信号的失真进行校正。实测数据验证了所建模型的有效性，设计出的数字补偿滤波器可将测量系统校正为一理想的比例环节。