搜索结果: 151-165 共查到“知识库 电子元件与器件技术”相关记录875条 . 查询时间(2.312 秒)
W[111]尖端场发射电子枪的工作特性
场发射电子枪 W[111]尖端 虚源半径
2009/9/23
本文报道了单晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端阴极,第一、二阳极组成的三极场发射电子枪(FEG)的工作特性。实验结果表明,这种FEG在枪室真空为5×10-7Pa,加速电压在30kV的条件下,其虚源半径为1.6nm;亮度为3.8×109A/cm2.sterad;场发射电流为1μA时,束流稳定性为5%(10min内)。说明它是一种较理想的点状电子源,在实际应用中具有广泛发展前景。
大功率速调管中寄生振荡问题的实验研究
大功率速调管 二极管振荡 π模型单腔振荡
2009/9/23
本文详细地描述了在S波段20MW大功率速调管和S波段1.5MW宽频带速调管中观察到的两种不同类型的振荡现象。实验和理论分析表明,一种类型的振荡足电子枪区的二极管振荡,另一种类型的振荡是由速调管谐振腔的高次模TM011引起的π模型单腔振荡。为研制工作稳定可靠的高峰值和高平均功率速调管提供了有价值的理论和实验依据。
带有反向并联二极管的E类调谐功率放大器的分析
E类调谐功率放大器 傅里叶分析 状态方程
2009/9/23
本文给出带有反向并联二极管E类调谐功率放大器的一般分析方法。文中首先讨论二极管导通角的确定,然后利用傅里叶分析与状态方程相结合的技术,推导出功率放大器响应的傅里叶级数表达式,并给出其性能参数分析,为该类放大器设计提供有效的支持。实际应用表明,本文提出的方法快速,可靠。
非理想第二类电流传送器及其应用
电流传送器 跨导运算放大器 电容变换器
2009/9/23
本文定义了一种非理想第二类电流传送器(NCCII);给出了用跨导运算放大器(OTA)实现NCCII的电路;讨论了用该电路实现的电容和电阻变换器。
非线性振荡器频率占据现象的Volterra级数分析
非线性振荡电路 Volterra级数 谐波平衡
2009/9/23
本文应用Volterra级数和谐波平衡技术分析了一个互感耦合非线性振荡电路在外电动势作用下的频率占据现象。导出了占据带宽表达式。这种方法在建立好系统模型后只需进行代数运算,从而避开了求解非线性微分方程的复杂过程。
分层同轴介质谐振器谐振频率特性的研究
同轴介质谐振器 谐振频率 耦合特征方程
2009/9/23
本文导出了置于无限平行导体板间和置于屏蔽结构中的任意分层同轴介质谐振器的TE、TM模场分量表达式以及求解TE、TM模谐振频率的一般耦合特征方程。对于同轴(l=3层)介质谐振器进行了深入研究和大量计算,得到了同轴(l=3层)介质谐振器的主模和一些高次模的谐振频率随几何尺寸和介质特性变化的关系曲线和数据表。
本文报道用LaAlO3衬底GdBa2Cu3O7高温超导薄膜研制的四极平行耦合带通滤波器。在77K测试,结果为:中心频率为8.96GHz,带内插入损耗为0.54dB,带宽为500MHz。文中还讨论了设计制作高性能微带滤波器应注意的问题。
回转器和理想变压器的群特性
回转器 理想变压器 群
2009/9/23
本文用群论的方法研究了所有理想变压器和所有回转器构成的集合GIT(2)。结果表明GIT(2)构成群,且为GL(2)群的子群。GIT(2)的结构反映了回转器与理想变压器之间的内在联系。最后考察了理想变压器的直积网络的性质。
迴旋自谐振脉塞的Bragg腔设计分析
迴旋自谐振脉塞 Bragg腔 耦合波
2009/9/23
迴旋自谐振脉塞是一种工作在毫米、亚毫米波段、兆瓦级以上功率的相干辐射器.本文叙述了迴旋自谐振脉塞的基本原理,着重给出谐振系统——Bragg腔的分析设计方法和计算结果.从皱纹波导理论出发,根据它的分布反射特性,推导出一个相关参数S.利用S参数结合实例可以较为简捷地设计、选择Bragg腔的工作模式.
计算MOS器件应力的简单方法
MOS器件 机械应力 Raman谱法
2009/9/23
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
建立放大器单向化模型的一条新途径
放大器 单向化模型 密勒效应
2009/9/23
本文提出一条建立放大器单向化模型的新途径,由该单向化模型可以非常容易地获得放大器的传递函数。与传统的确定放大器传递函数的密勒效应近似法和时间常数法相比,本文的方法不仅十分简单,而且精确度也较高。
本文用线性化弗拉索夫-麦克斯韦方程分析了介质膜波导中由大迴旋半径电子束环产生的迴旋自共振微波激射器的工作特性。结果表明,介质膜能降低所需的电子束能量,在毫米和亚毫米波段开创了一种新型的有效低压辐射源。
介质片上的金属条带交指型电容的三维分析
交指型电容器 三维分析 矩量法
2009/9/23
本文运用矩量法计算介质片上的金属条带交指型电容的电容量,给出了理论公式。这一分析可以很好地考虑指线末端的边缘效应和介质片厚度的影响。实际计算表明,本文的方法是正确和有效的。
任意横截面形状同轴线的高次有限元分析
同轴线 特性阻抗 高次有限元分析
2009/9/23
本文用高次有限元分析了任意横截面形状同轴线特性阻抗;给出了一个用二次元求解同轴线特性阻抗的通用程序。由于提出了一种便于编制通用程序的计算机自动区域剖分方法,使整个分析过程十分简便有效,大大提高了解题效率。文中对十余种不同横截面形状同轴线特性阻抗的计算,有力地证实了该程序的可靠性,通用性和准确性。同时,在数值分析的基础上,对高次元的解题效能进行了讨论。