搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录124条 . 查询时间(1.157 秒)
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中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展(图)
演化 光电 神经网络 器件
2024/8/11
III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长,由于大的晶格失配和热失配,导致高密度穿透位错(108-1010),极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果,明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型(Small 2022, 18, 2200057),阐明了原子尺度界面应力释放机制(Nano Letters...
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中国科学院半导体所等在砷化镓(GaAs)中产生自旋极化研究方面取得进展(图)
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题,受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中,通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化,将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题,从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
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中国科学院宁波材料所在氮化钛单晶的强关联电子研究方面取得进展(图)
氮化钛单晶 电子 半导体芯片
2024/6/19
由于具有高硬、难熔、耐磨、耐腐蚀、高导电性、良好半导体及生物兼容性等优异综合物理化学性质,以氮化钛(TiN)为代表的过渡金属氮化物在极端环境涂层、半导体芯片、生物医疗、纳米光子学、超导量子计算等领域的很多方面具有不可替代性。同时,过渡金属氮化物也展现出了许多新奇的量子现象,如超导-绝缘转变、超绝缘态以及超导赝能隙等。然而,与被广泛研究的过渡金属氧化物和过渡金属硫化物相比,由于缺乏高质量单晶材料,对...
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合肥工业大学微电子学院在蓝光危害检测领域取得重要进展(图)
蓝光 危害检测 半导体器件
2024/8/1
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中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展(图)
电子器件 磁场 拓扑
2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而,经过二十年的科学探索,人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如,自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释,面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此,中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
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央视报道!东南大学信息科学与工程学院团队突入6G无人区:很酷又很苦(图)
东南大学 6G 无人区 芯片
2024/6/26
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中国科学院长春光机所在量子精密测量用窄线宽半导体激光器方面取得新进展(图)
量子 测量 半导体激光器
2024/6/18
量子精密测量是利用光与原子相互作用的量子效应和技术,突破标准量子极限,以实现测量精度、灵敏度和稳定性全面超越经典测量手段的方法。这一颠覆性技术的关键是实现原子精细能级跃迁和量子态探测的窄线宽激光器。此外,激光器的高偏振特性也是提升激光稳频系统和量子干涉系统性能,制约测量准确度和分辨率的决定因素。因此,兼具窄线宽和线偏振的窄线宽半导体激光器在量子精密测量领域备受关注,其中,用于Cs原子里德堡态制备的...
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苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展(图)
梁伟 半导体激光器
2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器,体积较大,可靠性差。
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中国科学院微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展(图)
氮化镓器件 氮化物 半导体
2024/2/29
2023年12月11日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破,六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14(The 14th International Conference on Nitride Semiconductors)。