搜索结果: 106-117 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录117条 . 查询时间(2.847 秒)
砷化镓霍尔器件产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 产业化
2009/10/23
由中国科学院主持的“砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程”项目，近日在北京通过国家发改委验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担，项目采用的是中科院半导体所自主知识产权技术，提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，将形成年产1亿只砷化镓霍尔器件批量生产规模。
大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心落户天津工大
大功率半导体照明应用系统 教育部工程研究中心 天津
2009/10/9
2009年9月15日，中国科学院院士、清华大学薛其坤教授，北京大学张国义教授，天津大学马剑教授，中科院半导体所陈弘达研究员，清华大学罗毅教授，上海技术物理所陈效双研究员，中科院物理所陈弘研究员，天津市汽车灯厂黄春维高工等专家齐聚天津工业大学，认真听取了工程研究中心主任牛萍娟对工程研究中心建设可行性的研究汇报，进行了质询和现场考察，对天津工大“大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心”建设项目给予...
砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 验收
2009/9/22
为了发展高技术产业化，促进产业结构调整，由中国科学院主持的 “砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程”项目于2009年9月3日在北京通过国家发展和改革委员会验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担，项目采用中科院半导体所自主知识产权的技术，以新方法、新工艺，提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，大幅度降低了生产成本，将形成年产1亿只砷化镓霍尔器件批量生产规...
我国大尺寸功率半导体打破国外核心技术垄断
大尺寸功率半导体 技术垄断
2009/9/11
2009年9月8日，历经22个月建设的中国南车时代电气股份有限公司大尺寸功率半导体研发及产业化基地正式投产。这标志着我国在轨道交通、电力、化工、冶炼等领域，打破了国外核心技术和产品的垄断。
上海技术物理研究所首创大功率半导体照明器件升级筛选技术条件
上海技物所 首创 大功率半导体照明器件
2009/6/26
近日，中科院上海技物所科研人员首次编制了适合我国载人运输飞船的“大功率半导体照明器件升级筛选技术条件”，并成功筛选了符合航天元器件EEE保证大纲要求和适应舱外环境应用要求的大功率半导体照明器件，已在神舟七号载人运输飞船出舱活动任务中得到成功验证，为目前尚无高质量等级的大功率LED器件在航天领域的应用探索了可行的技术途径。在上海市科委的支持下，“航天照明用大功率LED筛选规范”项目也已于去年启动，并...
材料科学重点实验室研制出室温工作量子级联探测器
材料科学重点实验室 室温 量子级联探测器
2009/12/15
近日，半导体研究所材料科学重点实验室最近成功地研制出应变补偿的InGaAs/InAlAs量子级联探测器，初步实现室温工作，室温探测中心波长为4.5微米。附图为部分代表性结果。量子级联探测器是一种新型的光伏型探测器。它的工作原理是基于具有不对称的、锯齿状导带结构的耦合量子阱中的子带间的跃迁，从而允许激发态电子单方向输运。这种探测器从原理上讲可以不需要外加电场，从而没有暗电流噪声，这种探测器可以实现高...
硅基单片集成可重构光学上下路分插复用器获重要进展（图）
硅基单片集成 光学
2009/6/9
中国科学院半导体研究所光电系统实验室于2009年初在国际上首次实现了基于硅纳米线的单片集成4路可重构光学上下路分插复用器件。该器件结构紧凑，有效面积为1000×500m2，可以实现4路DWDM波长信号的动态路由配制，路由重构时间为亚毫秒量级，器件性能达到国际水平，部分指标领先。相关研究成果在国际著名光学期刊Optics Express上发表[Optics Express 17 (2009) 550...
我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功（图）
ZnO纳米材料 晶体管
2008/9/16
近日，中科院微电子所依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。
ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能，在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景，引起了国际学术界的极大关注。目前，国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。
中科院微电子所张海英研究员领导的课题组，使用...
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...
美籍华人施敏院士来哈工大作报告
院士 微电子科学技术 半导体器件物理
2008/3/10
由哈尔滨工业大学科技处主办、由美籍华人施敏院士主讲的《闪存发展与应用》报告于2005年6月10日在邵馆二楼报告厅举行。施敏（Simon M. Sze）院士是微电子科学技术、半导体器件物理领域专家。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所李爱珍研究员2006年4月7日下午1:30在浙江大学玉泉校区第12教学楼201报告厅作学术报告。报告题目为“中红外-太赫兹波段量子级联激光器的研究进展”。