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北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作，揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制，深入理解高压调控的光学跃迁演化过程，为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》（Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
湖南师范大学物理与电子科学学院杨凯科教授在SCIENCE CHINA Physics,Mechanics & Astronomy上发表最新研究成果（图）
杨凯科 SCIENCE CHINA Physics Mechanics & Astronomy 半导体材料 半导体器件
2023/5/11
半导体材料是现代光电和微电子信息技术的基础。后摩尔时代半导体器件尺寸不断缩小和集成电路晶体管数目成倍增加，有效地热耗散和热控制成为微处理器、光伏、热电等设备高效率稳定工作的重要保障。如何调控半导体材料热导率和增强热力学稳定性是需要解决的一个关键科学技术问题。近日，我院杨凯科教授与中国科学院半导体研究所邓惠雄等人在SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronom...
根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。
据中国电子科技集团有限公司官方消息，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，并表示已达到国际最高水平。
中国科学院可控生长InSb纳米低维结构及其高质量量子器件研究获进展（图）
纳米低维结构 量子器件 半导体材料
2023/3/15
窄带InSb半导体材料以高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体-超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构如纳米线或2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而颇具潜力。然而，InSb量子阱由于大晶格常数，较难在绝缘基板上外延生长。解决这些问题的方法之一是自...
宁波江丰同芯半导体材料有限公司举行开业暨投产仪式
宁波 江丰同芯 半导体材料
2023/3/15
据宁波江丰电子材料股份有限公司官微消息，2023年2月18日，江丰电子控股子公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司（以下简称“江丰同芯”）举行开业暨投产仪式。
苏州纳米所在彩色基底用于半导体SERS方面取得研究进展（图）
半导体材料 单分子检测 薄膜结构
2023/7/18
表面增强拉曼散射（SERS）是一种强大的痕量分析技术，具有单分子检测的灵敏度，并提供分子指纹信息，在痕量分析、界面表征等领域具有巨大的应用价值，其中基底材料是SERS研究的核心。2023年来，半导体材料由于低成本、高选择性、结构可调、生物相容性好等特点，成为SERS基底研究的一个新兴方向。然而，相比于传统的贵金属SERS材料，半导体SERS在灵敏度上仍有数量级的差距，其中一个重要原因是半导体SER...
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，b），并揭示了对称性在其中扮演的重要作用。2023年1月06日，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-ed...
厦门大学材料学院张金宝教授课题组在有机半导体导电机制的研究中取得重要进展。团队围绕有机空穴传输材料效率低和稳定性差等问题开展了系列工作，改进了材料沉积成膜的方法，深入探索了薄膜结构影响器件稳定性的规律，进一步揭示了掺杂阴离子的工作机制。
中国科学院超导二极管效应研究获进展（图）
超导二极管 半导体材料
2022/11/8
作为现代电子工业的基石，半导体电子器件的基元是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的特性之一是单向导电性。在正向偏置时，P-N结处于导通状态，允许电流通过；在反向偏置时，P-N结处于截止状态，电流无法通过。半导体电子器件利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似，具有宏观量子现象的超导体在量子电子学占有重要地位，如超导量子干涉仪等。那么，能否在超导电流中实现二极管效应？由于超导电流的零...
清华大学团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流（图）
清华大学 二维面 内异质结 热/电整流
2023/2/28
芯片对于民用和国防多个领域至关重要，也是我国核心科技的“卡脖子”难题之一。根据摩尔定律，晶体管的沟道长度逐年缩短，与此同时半导体材料的厚度也会同比例微缩。但随着晶体管沟道尺寸的极限微缩，传统硅基晶体管的尺寸已达到物理极限，迫切需要寻找下一代新型半导体材料进一步提高芯片的集成度。单层过渡金属二硫化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs）面内异质结由于具有原...
CIE第12期电子信息云讲堂将于2022年9月22日（本周四）19:30开播。本期云讲堂邀请中国科学院半导体所赵德刚研究员，西安电子科技大学周弘教授，中国科学院半导体所梁锋博士，围绕“超宽禁带半导体材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、期刊发展中心等联合承办。
2022年8月28日，国家自然科学基金基础科学中心项目——“信息超材料”现场考察会在南京举行。经过基金委严格的评审程序，该项目顺利通过专家评审和现场考察。国家自然科学基金委员会（以下简称基金委）副主任陆建华院士、信息科学部主任郝跃院士、常务副主任刘克、副主任何杰等领导及专家组成员听取项目负责人汇报，并与项目组骨干成员、依托单位及合作单位管理部门人员进行分组访谈，同时对实验室进行了实地调研。东南大学...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在半导体的激子-声子耦合的研究方面取得了一系列进展，相关工作分别以“锰掺杂氧化锌纳米线的多声子过程”（Multiphonon Process in Mn-Doped ZnO Nanowires），“卤化物双钙钛矿中自陷激子介导的高阶拉曼散射”（High-order Raman scattering mediated by self-tr...
