搜索结果: 121-135 共查到“知识要闻 电子元件与器件技术”相关记录200条 . 查询时间(2.093 秒)
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全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究获进展(图)
中国科学院微电子研究所 多态 自旋轨道 磁性存储器件
2021/5/26
近期,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作,研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合(SOT)磁性存储器件,并实现了低能耗、可编辑的突触功能,为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。
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近日,北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心极端光学研究团队朱瑞研究员、龚旗煌院士与英国萨里大学张伟教授、美国劳伦斯伯克利国家实验室Thomas P. Russell教授合作,在介电调控提升钙钛矿光伏性能研究中取得重要进展。相关研究成果以“钙钛矿光伏器件中的介电屏蔽”(Dielectric screening in perovskite photovoltaic...
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具有单向导电特性的二极管是电子电路中最基本的单元器件之一,几乎存在于所有的电子电路和芯片中,其发展对现代电子信息社会的进步起到了巨大的推进作用。对于常见的半导体二极管,由于半导体材料本身存在有限的电阻,二极管工作时不可避免的存在能量损耗。而超导材料具有完全的零电阻效应,使得超导电子器件具有天然的超低功耗的优点。但是长期以来,实现具有单向超流输运(单向零电阻态)的超导二极管一直是超导电子学领域的一大...
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中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队与薄膜硅太阳电池研究组研究员刘生忠团队合作,开发出一种水系MXene/PH1000杂化墨水,利用喷墨打印技术高精度、规模化制备出高体积容量的微型超级电容器,并构建出平面全柔性自供电温度传感系统。
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中国科学院深圳先进技术研究院杜学敏研究员入选Nanoscale 2021年度Emerging Investigators(图)
中国科学院深圳先进技术研究院 杜学敏研究员 入选 Nanoscale 2021年度 Emerging Investigators
2021/5/10
近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控中心杜学敏研究员被遴选为英国皇家化学学会旗下Nanoscale期刊2021年度Emerging Investigators,该荣誉颁授给在纳米领域有重要创新性研究成果的优秀青年科学家,他们在纳米科学与技术方面取得的成果被认为有望影响未来纳米研究的发展方向。杜学敏研究员还受邀在Nanoscale 2021 Emerging Investigators专...
湖南大学展示纳米尺寸垂直晶体管原型器件
湖南大学 纳米尺寸 垂直晶体管 自然·电子学
2021/5/13
记者2021年5月7日从湖南大学获悉,刘渊教授团队使用范德华金属集成法,成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管,其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项“微观世界”的创新,为“后摩尔时代”半导体器件性能提升增添了希望。日前,这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。
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62比特!潘建伟等成功研制“祖冲之号”(图)
潘建伟 祖冲之号
2021/5/10
记者从中国科大获悉,该校中科院量子信息与量子科技创新研究院潘建伟、朱晓波、彭承志等组成的研究团队,成功研制了62比特可编程超导量子计算原型机“祖冲之号”,并在此基础上实现了可编程的二维量子行走。相关研究成果于2021年5月7日在线发表在国际学术期刊《科学》杂志上。
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中国科学院深圳先进技术研究院等发表高能量密度电容器用电子陶瓷的综述(图)
高能量密度电容器 电子陶瓷
2021/5/10
近日,中国科学院深圳先进技术研究院、深圳先进电子材料国际创新研究院王大伟研究员(通讯作者),与英国谢菲尔德大学Ian M. Reaney 教授(通讯作者)、澳大利亚伍伦贡大学的张树君教授(通讯作者)等合作,以Electroceramics for High Energy Density Capacitors: Current Status and Future Perspectives为题,在综述...
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近日,浙江大学物理学系郑毅研究员的课题组取得重要突破,首次在黑砷二维电子态中发现了外电场连续、可逆调控的强自旋轨道耦合效应,实现了对自旋的高速精准控制;同时在全新的自旋-能谷耦合的Rashba物理现象中,发现了新奇的量子霍尔态。该研究将对高效率、低能耗自旋电子器件研制提供坚实基础,对进一步加深量子霍尔现象的理解,以及依托拓扑超导器件的量子计算研究具有积极意义。北京时间5月6日,这项研究在线刊发在国...
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中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等,利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性,无须修改商用的器件结构,首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件,实现了其纳秒级(~20 ns)的读写时间(商用闪存器件为百微秒)、极高的擦除/写入比(~1010)和极长的存储时间(10年以上)。
电子科技大学电子科学与工程学院博士生受邀在IEDM 2020 T-ED Special Issue发表文章
电子科技大学电子科学与工程学院 IEDM 2020 T-ED Special Issue 电子器件
2021/4/25
近日,电子科技大学电子科学与工程学院(示范性微电子学院)功率集成技术实验室(PITEL)博士生袁章亦安受微电子器件领域顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)程序委员会主席Tibor Grasser邀请,在IEDM 2020 T-ED Special Issue上发表题为“Improved Model on Buried-Oxid...
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南方科技大学深港微电子学院祝渊课题组在基于响应面法和遗传算法的智能控温呼吸模块的结构优化研究方面取得重大进展(图)
南方科技大学深港微电子学院 祝渊课题组 智能感应控温呼吸器 遗传算法 智能控温 呼吸模块 结构优化
2022/10/18
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南科大学者在自动调控电致变色智能窗领域取得研究新进展(图)
自动调控 电致变色 智能窗
2023/2/23
关于申报2021年度(第1届)中国电子元件行业协会科学技术奖的通知
中国电子元件行业协会 科学技术奖 通知
2022/10/16