搜索结果: 136-150 共查到“知识要闻 电子元件与器件技术”相关记录189条 . 查询时间(3.307 秒)
2019年9月24日，清华大学微电子所钱鹤、吴华强教授团队与合作者在国际材料与器件领域知名学术期刊《先进材料》（Advanced Materials）上在线发表长篇综述文章《用新型类脑器件连接生物神经网络与人工神经网络：原理，进展与挑战》（Bridging Biological and Artificial Neural Networks with Emerging Neuromorphic De...
2019年9月16日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目中期检查工作在微电子所召开。在科技部高技术研究发展中心的组织下，项目责任专家云南大学柳清菊教授，上海交通大学邓涛教授；同行专家中国信息通信科技集团周彬教授级高工，北京工业大学岳明教授，北京科技大学于广华教授，北京师范大学夏钶教授；财务专家中国科学院高能物理研究所杨明婕高级会计师，中国科学院微生物研究...
青岛大学电子信息（微纳技术）学院单福凯教授课题组在《IEEE Electron Device Letters》上发表类脑神经器件重要成果（图）
青岛大学电子信息（微纳技术）学院 单福凯 IEEE Electron Device Letters 类脑神经器件
2022/2/13
近日，青岛大学电子信息（微纳技术）学院单福凯教授课题组在神经形态电子器件领域取得重要进展，该课题组利用电纺ZnSnO纳米线作为沟道材料，成功研制出低功耗纳米线突触晶体管。利用单个电子器件模拟神经形态功能是当前研究领域的一大热点。传统计算系统受限于冯诺依曼瓶颈的制约，在高速传输且大规模处理复杂信号时具有明显的劣势。人脑是一个具有1000亿个神经元和1000万亿个神经突触高度互联，且大规模并行的复杂网...
最近，上海交通大学材料科学与工程学院/金属基复合材料国家重点实验室李万万研究员团队与上海大学张建华教授、杨绪勇教授合作在全溶液倒置绿光量子点器件领域取得重要进展，相关成果以“All-solution processed inverted green quantum dot light-emitting diodes with concurrent high efficiency and long ...
中国科学院福建物质结构研究所铅-碘基有机-无机杂化反铁电材料研究进展（图）
中国科学院福建物质结构研究所 铅 碘 基有机 无机杂化 铁电材料 研究进展
2019/9/20
作为电子器件的最基本元件，储能和转换的电活性材料一直是学术界研究的重要课题。其中，具有双电滞回线特征的反铁电材料占据了主导地位。反铁电体是在一定温度范围内相邻离子联线上的偶极子呈反平行排列，宏观上自发极化强度为零的材料。不同于铁电体，反铁电体具有很高的储能能力，较高的储能密度和快速的放电速率。目前反铁电体有两方面重要应用：一是利用反铁电-铁电相变时的极化强度与电场强度的非线性关系，作贮能电容器和电...
作为电子器件的最基本元件，储能和转换的电活性材料一直是学术界研究的重要课题。其中，具有双电滞回线特征的反铁电材料占据了主导地位。反铁电体是在一定温度范围内相邻离子联线上的偶极子呈反平行排列，宏观上自发极化强度为零的材料。不同于铁电体，反铁电体具有很高的储能能力，较高的储能密度和快速的放电速率。目前反铁电体有两方面重要应用：一是利用反铁电-铁电相变时的极化强度与电场强度的非线性关系，作贮能电容器和电...
国际权威期刊《JPCL》报道南京大学电子科学与工程学院本科生裴梦皎关于超低能耗、低压有机铁电存储器件的研究成果（图）
国际权威期刊 JPCL 南京大学电子科学与工程学院 本科生 裴梦皎 超低能耗 低压 有机铁电存储器件
2019/5/8
近期，以电子科学与工程学院2015级本科生裴梦皎与2016级博士生钱君为共同第一作者，李昀教授与王启晶博士为共同通讯作者的论文“pJ-Level Energy-Consuming, Low-Voltage Ferroelectric Organic Field-Effect Transistor Memories”，刊发在美国化学会旗下的物理化学领域国际权威期刊《The Journal of Ph...
近日，中国科学院深圳先进技术研究院集成所功能薄膜材料研究中心唐永炳研究员及其研究团队成功研发出了一种能在室温下工作的新型高效钙离子混合储能器件，其获得了钙离子储能体系的最佳性能。相关研究成果“A Calcium-Ion Hybrid Energy Storage Device with High Capacity and Long Cycling Life under Room Temperatu...
中国科学院微电子研究所高频高压中心在氮化镓高压电力电子器件领域取得突破性进展，提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构，有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度，显著降低系统成本，具有广阔的市场前景。
由西安交通大学固态照明工程研究中心与英国谢菲尔德氮化镓材料与器件中心联合主办的第一届中英青年论坛（宽禁带半导体材料与器件）于6月15-16日在英国谢菲尔德大学成功举办。本次论坛主席由国家“千人计划”特聘专家、西安交大电信学院云峰教授和英国谢菲尔德大学电子工程系王涛教授共同担任。剑桥大学、曼彻斯特大学、清华大学、北京大学、香港大学等近30家高校和科研院所参加本次论坛。英国皇家学会委员会主席Tom F...
南京大学教授研发出新型结构电子元件：可耐340℃高温（图）
新型结构电子元件 可耐高温 电子学
2018/3/7
电脑突然蓝屏，手机强制关机，汽车需要熄火……明明电量充足为什么会出现这些让人猝手不及的状况？也许因为它们都太热了！手机、电脑、汽车控制系统等电子设备里含有大量负责运算和存储的电子元件，一般而言，这些器件的工作温度均不能超过125℃，否则就会导致计算结果出错或者数据丢失。但是，当手机和电脑程序运行时间过长，电子元件的高负荷运转不可避免会导致其温度迅速升高。为了避免这种情况发生，电子工程师们都会在电子...
清华大学盛兴研究员访问中科院苏州纳米所并作学术交流（图）
清华大学 中科院苏州纳米所 光电器件
2017/7/21
2017年7月19日上午，中科院纳米器件与应用重点实验室邀请到国家“青年千人计划”入选者清华大学盛兴研究员来所访问交流并作学术报告。报告由孙钱研究员主持，陆书龙研究员、丁孙安研究员、蒋春萍研究员、陈沁研究员、张珽研究员等十余位老师和众多学生积极参加了本次学术交流讲座。
美国哥伦比亚大学Latha Venkataraman教授访问中国科学院化学研究所并作分子科学论坛报告（图）
Electron Transport in Single-Molecule Circuits 单分子器件
2017/7/12
2017年7月6日，美国哥伦比亚大学Latha Venkataraman教授访问化学所并作题为Electron Transport in Single-Molecule Circuits的分子科学论坛报告，报告由化学所所长张德清主持，张德清所长为Latha Venkataraman教授颁发了“分子科学论坛”荣誉证书和奖牌。
南京理工大学柔性透明阻变存储器研究成果在学科顶级杂志发表
南京理工大学 柔性透明 阻变存储器 智能穿戴产品
2017/6/14
智能穿戴产品越来越多地应用到人们的日常生活和生产中。然而电子集成技术中每个元件能不能更好地适应柔性环境的问题，直接影响着智能穿戴产品能否得到广泛的应用，因此，透明柔性电子器件的研发受到越来越多的关注。近日，我校材料科学与工程学院袁国亮教授课题组研制出了一种新型的阻变存储器，它透明、柔软、耐高温、阻变性能优异。这一成果使智能穿戴产品的广泛应用获得突破，发表在学科顶级杂志《Advanced Mater...
中国科学院苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得新进展（图）
增强型 GaN HEMT器件 器件结构 刻蚀损伤 GaN
2017/2/16
由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点，GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用，AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气，浓度可达到1013/cm2量级，因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。如何实现增强型GaN HEMT一直是该领域研究的难点，目前几种主要用来制备增强型器件的方案包括：p型栅、凹槽栅、F处理和Cascode结构。其中，p型栅的...