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吉利科技集团与积塔半导体达成战略合作 成立车规芯片创新联合体（图）
吉利 积塔半导体 战略合作 车规芯片
2023/3/15
大半导体产业网消息，据吉利科技集团官微报道，2023年1月12日，吉利科技集团与积塔半导体签订战略合作协议，双方将围绕车规级芯片研发、制造、市场应用、人才培养等领域开展全面合作，共同致力于车规级芯片产业的协同发展，推动国产半导体关键技术的突破，建立成熟稳定的汽车半导体产业生态。晶能微电子CEO潘运滨与积塔半导体CEO周华代表双方签约。吉利科技集团CEO徐志豪、总裁刘玉东、副总裁顾文婷等出席见证。
近日，南方科技大学深港微电子学院与北京犀灵视觉科技有限公司签署合作协议，双方将共建“深港微电子学院-犀灵视觉神经形态感存算芯片联合实验室”，建立产学研长期合作关系，努力实现“校企合作、产学双赢”。 双方将共同推进新型神经形态器件与芯片领域的技术升级和发展，共同探索、研究边缘处理的应用场景以及产品实现，促进科技成果转化。
中国科学院微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展（图）
微电子所 有机分子 晶体器件 载流子输运
2023/1/12
2023年1月12日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。 相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化（trap-healing）现象，由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高，并具有跨导不依赖于栅压的电学特性，这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应，且存在其他影响电学性能的机制。
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展（图）
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-D...
中国科学院微电子所在2T0C DRAM研究取得创新进展（图）
铟镓锌氧 晶体管 电路控制
2023/8/21
动态随机存储器（DRAM）是存储器领域中的一个重要分支。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C无电容DRAM，有望突破传统1T1C-DRAM的微缩限制、高刷新率等问题。但相比传统的1T1C结构，2T0C-DRAM仍存在诸多挑战：由于其读字线与写字线位于读晶体管的源漏端，存在潜在的电流分享路径，不利于读写操作；两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂，需要更复杂的外围电路控制读写；在阵列级的DR...
近期，龙芯中科面向物联网领域研制的主控芯片--龙芯1C102和龙芯1C103流片成功，两款微控制器芯片各项功能测试正常，符合设计预期。龙芯1C102采用龙芯LA132处理器核心，是一款面向嵌入式领域定制的芯片产品，该芯片集成Flash、SPI、UART、I2C、RTC、TSENSOR、VPWN、ADC等功能模块，在满足低功耗要求的同时，大幅减少板级成本，可广泛应用于各种智能设备和物联网相关产品中，...
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM（图）
东南大学 电子器件 IEDM IEEE
2023/7/17
近日，第68届IEEE国际电子器件年会(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行。东南大学刘斯扬、孙伟锋教授课题组的两项研究成果在此次会议上发表，是东南大学作为第一单位首次在IEDM会议上发表研究成果。
2022年12月21日，中国科学院文献情报中心正式发布了《2022年中国科学院文献情报中心期刊分区表》，我校与自然出版集团（Springer Nature）合作创办的国际学术期刊npj Flexible Electronics（《柔性电子（英文）》）被列入材料科学类一区TOP，这也是npj Flexible Electronics连续两年进入中科院1区。
2084年，尽管你已经年近百岁，但抗衰老药物让你依然皮肤紧致，活力满满。而此时的脑机接口技术已经相当成熟，通过它，你用意念控制着你的股票交易账号。这也许是一段科学幻想，生命真的能和电子器件连接吗？
合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组荣获IEEE亚洲硬件安全与可信会议最佳论文奖（图）
黄正峰 IEEE 硬件 最佳论文奖
2023/7/17
合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组在IEEE亚洲硬件安全与可信会议( AsianHOST2022 ) 发表的论文“MRCO: A Multi-ring Convergence Oscillator-based High-Efficiency True Random Number Generator（基于多环汇聚振荡器的真随机数发生器）”获得了最佳论文奖（Best Paper Award）。论文的第...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
近日，浙江省科学技术厅公布了2023年度第一批“尖兵”“领雁”研发攻关计划项目清单。学院先进集成电路制造技术研究所特聘研究员任堃牵头的“集成电路设计工艺协同优化国产化软件/流程开发与验证”项目获批浙江省“尖兵”研发攻关计划项目。
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
在计算机视觉领域，神经网络在图像识别、图像分割和目标检测方面具有先进性能。然而，基于传统冯诺依曼架构的神经网络的分类和检测方法面临存算分离的计算难题。而忆阻器作为一种新型存算一体器件，由于非易失性和纳米尺寸等特性，非常适合实现神经突触。因此基于忆阻器的神经网络引起了广泛关注。目前基于忆阻器的神经网络研究面临多态模型设计、循环神经网络（RNNs）中的核心模块门控循环单元（GRU）计算复杂等难题，合肥...