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中国科学院微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展（图）
微电子所 有机分子 晶体器件 载流子输运
2023/1/12
2023年1月12日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。 相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化（trap-healing）现象，由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高，并具有跨导不依赖于栅压的电学特性，这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应，且存在其他影响电学性能的机制。
近日，我所超快时间分辨光谱与动力学研究组（1110组）金盛烨研究员团队在二维钙钛矿量子阱材料中载流子动力学研究工作中取得新进展，发现突破激子迁移极限的长距离载流子输运现象。二维（2D）有机无机杂化钙钛矿半导体量子阱材料是在三维（3D）钙钛矿晶格中插入长链有机卤化胺配体形成的。由于2D钙钛矿具有独特的性质，如柔性结构，大的激子结合能，易调谐带隙，以及显著提高的耐湿性，使得其在光电和量子器件应用领域得...