搜索结果: 1-6 共查到“半导体技术 谐振”相关记录6条 . 查询时间(0.106 秒)
MOSFET非线性寄生电容对单管谐振正激变换器的影响及其处理
寄生电容 非线性 谐振正激 MOSFET
2024/3/11
高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真模型,并推导基本数学表达式;利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间,并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克...
中国科学技术大学在微波谐振腔探测半导体量子芯片研究中获进展（图）
中国科学技术大学 微波谐振腔 半导体量子芯片
2021/5/13
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在微波谐振腔探测半导体量子芯片研究中取得重要进展。该研究利用微波超导谐振腔，实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果以Microwave-resonator-detected excited-state spectroscopy为题，发表在Physical Review Applied上。
利用标准硅基半导体集成电路工艺制备的电子器件，如硅基的晶体管和纳米机电谐振器，是现代电子产业的基石。随着超大规模集成工艺技术的发展，硅基电子器件的尺寸已进入纳米尺度，将会展现出不同于经典器件的量子效应。作为纳米尺度的新型功能电子器件的代表，硅基单电子/空穴晶体管和超高频纳米机电谐振器在量子计算、精密传感等方面有广泛的应用前景。特别值得一提的是，如果硅基单空穴晶体管被悬浮起来，其自身就可以作为超高频...
矩形开口谐振环腔间耦合特性研究
微带开口谐振环 地面缺陷结构 耦合特性 带通滤波器
2013/11/2
对矩形微带开口谐振环以及矩形地面缺陷开口谐振环的腔间耦合特性进行了深入研究．通过分析耦合谐振的电路模型，得到了耦合系数的计算公式；对矩形微带环、矩形地面缺陷环不同位置下的耦合特性分别进行了分析，系统总结了矩形谐振环之间不同位置形式下的耦合强度；根据不同腔间耦合形式设计了两个带通滤波器，验证了文中的研究．
半导体所在微机电射频谐振器件研究方面取得系列进展（图）
微机电 射频谐振器件 研究方面
2011/11/7
在科技部和中国科学院的大力支持下，半导体研究所集成技术工程研究中心相关课题组多年来致力于射频谐振器件以及相关的测试表征系统的研制工作，在谐振器构型、微纳加工工艺、器件测试方法研究和测试系统组建等方面取得了系列的科研进展。
基于垂直谐振腔结构的半导体光放大器理论分析
2007/7/28
期刊信息
篇名
基于垂直谐振腔结构的半导体光放大器理论分析
语种
中文
撰写或编译
作者
赵峥,潘炜,罗斌,邓果,李孝峰
第一作者单位
刊物名称
光子学报
页面
33(12): 1121~1124, 2
出版日期
2004年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
垂直腔中载流子输运性质及低维系统的动力学仿真研究