搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 可靠性”相关记录20条 . 查询时间(0.281 秒)
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展（图）
氮化镓器件 氮化物 半导体
2024/2/29
2023年12月11日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
韩国科学技术研究院开发出高可靠性人工突触半导体器件
韩国科学技术研究院 人工突触半导体器件 半导体器件 自然·通讯
2022/10/17
科技日报消息称，韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。
国家863计划重大项目“基于失效机理的LED照明系统可靠性与可控寿命技术研究”课题启动会顺利召开
国家863计划重大项目 基于失效机理的LED照明系统可靠性与可控寿命技术研究 课题启动会
2015/4/20
2015年4月8日，国家863计划新材料技术领域高效半导体照明关键材料技术研发（四期）重大项目“基于失效机理的LED照明系统可靠性与可控寿命技术研究”课题启动会在中国科学院半导体研究所顺利召开。该课题由中国科学院半导体研究所承担，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、工业和信息化部电子第五研究所、武汉大学、中山大学等10家单位参与，是为近年来LED可靠性领域研究范围最广、国家资助力度最大的项目，...
半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方法
半导体集成电路芯片 质量 可靠性
2016/9/21
针对国内目前没有专门用于保证半导体集成电路芯片质量与可靠性要求的相关标准，相应测试、可靠性 研究水平也较为落后的情况，对半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方法进行研究。介绍半导体集成电路芯片质 量与可靠性保证方面的国际、国内标准与技术水平现状，提出在目前技术水平下需从设计、工艺、筛选验证3 个方 面保证半导体集成电路芯片质量与可靠性，在筛选验证方面提出芯片筛选、封装样品考核相结合的方式。结果表明，...
基于模糊综合评判法评价发光二极管灯具的可靠性
发光二极管灯具 可靠性 模糊算法 评价模型
2014/3/24
基于数学模糊综合评判法建立了一种发光二极管(LED)灯具可靠性评价的模型。首先,从LED光源、散热系统、使用环境3个方面对影响LED灯具可靠性的因素进行了分析,建立了评价LED灯具寿命的因素集、评判集;然后,采用德尔菲调查法得到了各因素相应的权重系数;最后,通过选择合适的模糊算子建立了灯具可靠性评价模型。利用所建立的模型对一款LED路灯的可靠性进行了评价,结果表明:所建立的数学模型可以快速、有效地...
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
亚微米LDD器件 模拟 可靠性
2009/9/1
针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
ULSI中铜互连及其可靠性的研究与进展
铜互连 基本可靠性单元 可靠性技术
2009/6/5
随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展，铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要．分析和比较了铜互连关键工艺，叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展，对铜互连基本可靠性单元进行了讨论，指出现在仍然存在的问题，并给出了解决这些关键技术可能的方法．
2009第十三届全国可靠性物理学术讨论会
第十三届 全国可靠性物理 学术讨论会
2009/5/11
由中国电子学会可靠性分会;元件分会;半导体及集成技术分会;电子材料分会主办的2009年第十三届全国可靠性物理学术讨论会定于2009年10月19-22日在江西省玉山县贵源宾馆召开，特向全国广大电子产品可靠性物理工作者征集学术论文。