搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 激光”相关记录76条 . 查询时间(0.122 秒)
苏州纳米所梁伟团队合作在1μm外腔超窄线宽半导体激光研究领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光 原子量子
2024/4/10
1μm波长的窄线宽激光在原子量子、引力探测和光钟等领域都有重要应用。梁伟团队和南京大学、华东师范大学合作，取得1μm窄线宽外腔半导体激光研究进展。本研究中，通过使用中空的高品质因子FP光腔和自注入锁定技术，实现了紧凑的1μm超窄线宽半导体激光，其洛伦兹线宽约41Hz，和稳频光梳拍频线宽为510.3Hz,1s频率稳定性达到10^-11，同时可通过PZT实现快速的数百MHz的频率调制。
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光器
2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器，体积较大，可靠性差。
中国科学院半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点 激光器 集成
2024/2/28
分布反馈（DFB）激光器具有结构紧凑、动态单模等特性，是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是，2023年8月30日以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势，亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑，对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高的要求。
中国科学院半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点激光器 硅基光电子 集成芯片
2023/7/7
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与Ga...
近日，长光华芯车载激光雷达芯片产品顺利通过车规级AEC-Q102认证，加上2022年12月份通过的IATF16949质量体系认证，长光华芯已拿到进入汽车电子行业的两张通行证，是汽车厂商合规可靠的车载激光雷达芯片供应商。目前多数汽车厂商使用的零部件都要求具备AEC-Q认证，AEC-Q认证是国际通用的车规元器件产品验证标准，通过AEC-Q认证意味着产品能够应用于汽车上。
未来的诸多高新技术应用和重大科研项目都迫切需要高性能、低成本、小型化的窄线宽激光，这些应用领域包括未来自动驾驶普及可能采用的调频连续波激光雷达，低轨道卫星网络使用的相干激光通讯，即将开展的太空引力探测，以及量子信息等。成熟的窄线宽固体和光纤激光在过去10年间线宽停留在kHz量级，体积大成本高，无法满足上述经济发展和科研项目对激光性能、成本和体积提出的更高要求。
据天眼查App显示，近日，苏州识光芯科技术有限公司发生工商变更，新增百度关联公司三亚百川致新私募股权投资基金合伙企业（有限合伙）等为股东，公司注册资本由1495万人民币增至约1656.3万人民币，增幅约10.7%。
中国科学院国家空间中心科研人员成功自主研发出集成电路缺陷激光定位装置（图）
集成电路 激光定位 半导体器件
2023/8/22
航天产品的质量和寿命取决于产品设计、研制生产和试验测试全流程的可靠性，而集成电路安全可靠是航天电子系统在轨稳定工作的基础。现代集成电路制造流程中，工艺制造和设计环节均可引入芯片缺陷，在使用过程中可导致失效等。随着芯片集成度的提高,芯片正面的金属互连层不断增加，倒封装工艺得到广泛应用，从芯片正面定位缺陷位置变得愈发困难。利用激光从背部开封装的芯片进行的非接触式无损缺陷定位技术，目前在集成电路静态/动...
航天产品的质量和寿命取决于产品设计、研制生产和试验测试全流程的可靠性，而集成电路安全可靠是航天电子系统在轨稳定工作的基础。现代集成电路制造流程中，工艺制造和设计环节均可引入芯片缺陷，在使用过程中可导致失效等。随着芯片集成度的提高,芯片正面的金属互连层不断增加，倒封装工艺得到广泛应用，从芯片正面定位缺陷位置变得愈发困难。利用激光从背部开封装的芯片进行的非接触式无损缺陷定位技术，目前在集成电路静态/动...
中国科学院化学研究所赵永生课题组实现三重态促进的高效有机固态激光（图）
中国科学院化学研究所 赵永生 三重态促进 高效 有机固态激光
2020/12/16
在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下，中国科学院光化学重点实验室赵永生课题组近年来一直致力于有机固态激光器的理论研究（Acc. Chem. Res. 2016, 49, 1691-1700）和应用开发（Nat. Commun. 2019, 10, 870）。针对有机光学增益材料载流子迁移率不平衡带来的极化子损耗问题，他们构筑了具有平衡双极传输特性的电荷转移复合物增益介质，首次实现了这类...
III族氮化物半导体是继第一代Si、Ge元素半导体和第二代GaAs、InP化合物半导体之后的第三代半导体，通常又被称为宽禁带半导体。其为直接带隙材料，禁带宽度在0.7 eV (InN)至6.2 eV (AlN)之间连续可调，发光波长覆盖了近红外、可见光到深紫外等波段；其还具有发光效率高、热导率大、化学稳定性好等优点，可用于制作半导体激光器。基于III族氮化物的半导体激光器在激光显示、激光照明、激光...
中国科学院长春应用化学研究所秦川江课题组和日本九州大学安达千波矢研究室组成的国际合作团队开发了一种基于新型低成本半导体材料-钙钛矿的激光器，突破了以往仅能在低温下连续稳定工作的瓶颈，率先实现了室温可连续激光输出的钙钛矿激光器，为该类器件的产业化应用奠定了坚实基础。激光器是将输入的光或电能量转换成光的器件。由于其发光高度均匀，被广泛应用于工业、医疗、信息、科研等领域。钙钛矿半导体材料具有可低成本溶液...
2019年8月20至8月25日，由人力资源和社会保障部主办，长春光机所国家专业技术人员继续教育基地承办的“高端半导体激光器芯片技术”高级研修班在长春光机所举办。来自全国企业、高校和科研院所等19个省市46家单位的80余位学员参加了本次培训。长春光机所人力资源处处长初蓓出席开班仪式并致辞，开班仪式由副处长马洪雷主持。中国科学院院士王立军作了《半导体激光芯片技术新进展》的特邀报告。王立军围绕国家战略需...
ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，具有高达60 meV的激子束缚能，远高于室温热离化能（26 meV），因此，在室温下激子可以在ZnO中稳定地存在，是实现室温或者更高温度下的紫外自发与受激辐射的理想材料，在获得低域值、高品质因子的紫外激光上体现出十分突出的本征物理优势。此外，非中心对称的纤锌矿结构ZnO微纳米材料还具备特殊的压电性能，当材料受到外加应力时，晶体内部的离子极化引起介质介电常数的...