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本发明涉及一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法,其特征在于:所述发光二极管与光电转换器件之间通过两端均为磨锥球面的光纤进行耦合,即双头磨锥球面光纤耦合。本发明的耦合方式对含有发光二极管与光纤耦合的各种检测器、传感器和光学通信设备,尤其是荧光检测器和荧光传感器具有应用价值。该耦合方法简单、实用、方便、成本低廉。
近日,物理科学与技术学院“新型光电转换材料与器件团队”,与国家纳米中心、中科院半导体所、吉林大学、哈尔滨师范大学、陕西师范大学等单位合作开展研究,在新型半导体材料的晶体结构构筑及器件结构设计等方面取得了系列重要进展。
超薄硅薄膜背面的多层反射复合结构经过精心设计,能够让照射进薄膜的光更长时间地在薄膜内反射,以便有充足的时间让光能被吸收并转换成电能。参与研究的物理系博士后比特•博麦尔表示,没有这些反射层,光将直接反射出薄膜进入周围的空气。他认为,确保进入硅薄膜中的光能够具有更长的传输通道十分重要,在硅薄膜中传输距离越长意味着光能被吸收的几率越高,被吸收的光能将促使薄膜中的自由电子形成电流。

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