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中国科学院半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展（图）
手性分子 电子学器件 非磁性金属
2024/2/28
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点，相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”（Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS）。CISS在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值和丰富的物理内涵，但是手性与自旋极化相互转换的微观机理一直是激烈争论的科学问题。
中国科学院微电子所在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展（图）
微电子所 有机分子 晶体器件 载流子输运
2023/1/12
2023年1月12日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。 相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化（trap-healing）现象，由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高，并具有跨导不依赖于栅压的电学特性，这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应，且存在其他影响电学性能的机制。
细胞与其周围微环境的相互作用是组织工程、再生医学等领域的一个重要基础问题。其中，力学转导（即细胞感知并响应力学微环境的行为）是一个复杂的过程，亟待开发简单高效的细胞实验微器件来进行相关研究。丁建东课题组运用先进的微加工技术以及有限元分析，设计并成功制备了一种简化但功能性和适用性强的微流控细胞拉伸芯片。常规的微流控拉伸芯片由三层组成，即弹性膜层夹在两个微通道层之间。制作这种微流控芯片需要进行对准和多...
微电子所刘明院士团队提出了使用有机电荷转移分子 F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过 F4TCNQ 与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范...
X射线技术能“看透”材料内分子结构
X射线技术 “看透” 材料分子结构
2012/4/25
据物理学家组织网近日报道，美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员借助偏振X射线散射技术，可“看透”应用于晶体管和太阳能电池等可印刷电子设备的有机高分子结构，有助于研发出更便宜、更高效的可印刷电子设备。相关研究成果发表于4月15日英国《自然—材料》杂志上。