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2016年12月29日，由教育部科学技术委员会组织评选的2016年度“中国高等学校十大科技进展”在北京揭晓，北京大学化学与分子工程学院郭雪峰教授负责完成的科研成果“世界首例真实稳定可控的单分子电子开关器件”入选。北京大学同时入选的还有物理学院孟杰教授负责完成的科研成果“发现原子核手征对称性和空间反射对称性的联立自发破缺”。
俄罗斯科学家发现新型分子添加剂可显著提高有机晶体管性能
俄罗斯科学家 新型分子添加剂 有机晶体管性能
2016/7/26
莫斯科国立大学的化学家近日发现了一种新型分子添加剂，可显著提高有机晶体管的性能，该材料未来有望成为有机电子学发展的重要基础。相关研究成果发表在《先进材料》杂志上。这种新分子材料类似放射状胶质细胞，可以作为聚合物基质添加剂使用。莫斯科国立大学研究人员德米特里·伊万诺夫介绍，现有的聚合物添加剂大部分只能在无机半导体上使用，如目前最常使用的氟化添加剂，它并不适用于塑料电子学领域的大部分多聚物。通过与德国...
中科院长春应化所杨小牛研究员主编的国际专著《半导体高分子复合材料：原理、形态、性能及应用》（《Semiconducting Polymer Composites: Principles, Morphologies, Properties and Applications》）（ISBN 978-3-527-33030-0）于近期由国际著名出版公司德国约翰-威力（Wiley-VCH, http://w...
LB单分子膜中电荷密度的确定
LB单分子膜 C-V方法 电荷密度
2009/10/15
本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C20H40O2膜中电荷密度的测定,表明此方法实用可行。
分子动力学方法研究硅锗超晶格的弛豫过程
弛豫 振动光谱 分子动力学方法
2009/9/17
本文采用分子动力学方法，应用Tersoff经验势模型，研究了Si/Ge/Si和Ge/Si/Ge结构的弛豫过程中的晶格常数变化，原子均方位移变化,原子总势能及振动光谱的变化。充分弛豫之后，Si/Ge/Si结构横向拉伸，纵向压缩；而Ge/Si/Ge结构横向和纵向都压缩，且纵向压缩幅度大，弛豫时间长。原子总势能和原子均方位移在系统达到平衡后达到恒定值，且总势能低于初始势能。振动光谱逐渐衰减且Ge/Si/...
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
分子束外延 表面形貌 AFN
2009/5/20
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制。
原子氢辅助分子束外延GaAs（331）A表面形貌演化
原子氢 分子束外延 高指数面
2009/2/8
研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明：在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而在原子氢辅助分子束外延情况下,当GaAs淀积量相同时GaAs外延层台阶的密度增大宽度减小.认为这是由于原子氢的作用导致Ga原子迁移长度的减小.在GaAs(331)A台...
2007年3月8日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员领导的分子束外延（MBE）课题组徐应强、郝瑞亭、周志强、任正伟等人采用分子束外延技术，成功地在GaAs衬底上生长出高质量GaSb厚膜材料和2－3微米波段InAs/GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs/GaSb超晶格。
分子电子学的研究目标和途径
分子电子学 分子器件 分子工程
2009/12/29
本文阐明了继真空器件和半导体器件之后,分子电子器件作为第三代器件将呈现于信息科学之中。这不仅是器件发展趋势所致,也是基于进化求解原理的新一代计算系统发展的需要。文中提出了用分子电子器件构成的关联存贮器和网络模型;并讨论了近期的研究目标与途径。